2SK4100LS,SANYO,TO-220F,DIP/MOS,N场,650V,6A,1.35Ω
2SK4100LS,SANYO,TO-220F,DIP/MOS,N场,650V,6A,1.35Ω
特点
* 低导通电阻，低输入电容，超高速开关。
* 高可靠性（通过HVP过程）。
* 的附件可操作性是由云母包好。
* 雪崩电阻的保证。
产品型号:2SK4100LS 通用开关设备应用
封装:TO-220F
品牌：SANYO/三洋
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650
夹断电压VGS(V):±30
最大漏极电流Id(A):6
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):1.35 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):5
功率PD(W):33
输入电容Ciss(PF):600 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：4
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):105
导通延迟时间Td(on)(ns):18 typ.
上升时间Tr(ns):41 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):78 typ.
下降时间Tf(ns):28 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:2SK4100LS 650V,6A N-沟道增强型场效应晶体管
P75NF75属于晶体管类别，参数是：电流75A 耐压75V，采用TO220形式封装。
大部分场效应管的命名都有规律，前面数字代表电流，后面数字代表电压。
直流参数
饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。
夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。
开启电压UT它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS。
交流参数
交流参数可分为输出电阻和低频互导2个参数，输出电阻一般在几十千欧到几百千欧之间，而低频互导一般在十分之几至几毫西的范围内，特殊的可达100mS，甚至更高。
扩展资料：
场效应管与晶体管在电气特性方面的主要区别有以下几点：
1、场效应管是电压控制器件，管子的导电情况取决于栅极电压的高低。晶体管是电流控制器件，管子的导电情况取决于基极电流的大小。
2、场效应管漏源静态伏安特性以栅极电压UGS为参变量，晶体管输出特性曲线以基极电流Ib 为参变量。
3、场效应管电流IDS与栅极UGS之间的关系由跨导Gm 决定，晶体管电流Ic与Ib 之间的关系由放大系数β决定。也就是说，场效应管的放大能力用Gm 衡量，晶体管的放大能力用β衡量。
4、场效应管的输入阻抗很大，输入电流极小；晶体管输入阻抗很小，在导电时输入电流较大。
5、一般场效应管功率较小，晶体管功率较大。
参考资料：
场效应管
