硅提纯：在硅提纯的过程中，原材料硅将被熔化，并放进一个巨大的石英熔炉。这时向熔炉里放入一颗晶种，以便硅晶体围着这颗晶种生长，直到形成一个几近完美的单晶硅。以往的硅锭的直径大都是300毫米，而CPU厂商正在增加300毫米晶圆的生产。
切割晶圆：硅锭造出来了，并被整型成一个完美的圆柱体，接下来将被切割成片状，称为晶圆。晶圆才被真正用于CPU的制造。所谓的“切割晶圆”也就是用机器从单晶硅棒上切割下一片事先确定规格的硅晶片，并将其划分成多个细小的区域，每个区域都将成为一个CPU的内核(Die)。一般来说，晶圆切得越薄，相同量的硅材料能够制造的CPU成品就越多。
影印：在经过热处理得到的硅氧化物层上面涂敷一种光阻(Photoresist)物质，紫外线通过印制着CPU复杂电路结构图样的模板照射硅基片，被紫外线照射的地方光阻物质溶解。而为了避免让不需要被曝光的区域也受到光的干扰，必须制作遮罩来遮蔽这些区域。这是个相当复杂的过程，每一个遮罩的复杂程度得用10GB数据来描述。
蚀刻：蚀刻使用的是波长很短的紫外光并配合很大的镜头。短波长的光将透过这些石英遮罩的孔照在光敏抗蚀膜上，使之曝光。接下来停止光照并移除遮罩，使用特定的化学溶液清洗掉被曝光的光敏抗蚀膜，以及在下面紧贴着抗蚀膜的一层硅。然后，曝光的硅将被原子轰击，使得暴露的硅基片局部掺杂，从而改变这些区域的导电状态，以制造出N井或P井，结合上面制造的基片，CPU的门电路就完成了。
重复、分层：为加工新的一层电路，再次生长硅氧化物，然后沉积一层多晶硅，涂敷光阻物质，重复影印、蚀刻过程，得到含多晶硅和硅氧化物的沟槽结构。重复多遍，形成一个3D的结构，这才是最终的CPU的核心。每几层中间都要填上金属作为导体。
封装：这时的CPU是一块块晶圆，它还不能直接被用户使用，必须将它封入一个陶瓷的或塑料的封壳中，这样它就可以很容易地装在一块电路板上了。封装结构各有不同，但越高级的CPU封装也越复杂，新的封装往往能带来芯片电气性能和稳定性的提升，并能间接地为主频的提升提供坚实可靠的基础。
一、电路板烧IGBT或保险丝的维修程序
保险丝或IGBT烧坏，不能马上换上该零件，必须确认下列其它零件是在正常状态时才能进行更换，否则，IGBT和保险丝又会烧坏。这样付出的代价就大了。
1.检查保险丝是否烧断
2.检测IGBT是否击穿：
用万用表二极管档测量IGBT的“E”；“C”；“G”三极间是否击穿短路。
A：“E”极与“G”极；“C”极与“G”极，正反测试均不导通（正常）。
B：万用表红笔接“E”极，黑笔接“C”极有0.4V左右的电压降（型号为GT40T101三极全不通）。
3.测量互感器是否断脚，正常状态如下：
用万用表电阻档测量互感器次级电阻约80Ω；初极为0Ω。
4.整流桥是否正常（用万用表二极管档测试）：
A：数字万用表红笔接“-”，黑笔接“+”有0.9V左右的电压降，调反无显示。
B：万用表红笔接“-”，黑笔分别接两个输入端均有0.5V左右的电压降，调反无显示。
C：万用表黑笔接“+”，红笔分别接两个输入端均有0.5V左右的电压降，调反无显示。
5.检查电容C301；C302；C303；是否受热损坏。（如果损坏已变形或烧熔）
6.检测芯片8316是否击穿：
测量方法：用万用表测量8316引脚，要求1和2；1和4；7和2；7和4之间不能短路。
7.IGBT处热敏开关绝缘保护是否损坏。按键动作不良的检测测量CPU口线是否击穿：
二、按键动作不良
用万用表二极管档测量CPU极与接地端，均有0.7V左右的电压降，万用表红笔接“地”；黑笔接“CPU每一极口线”。否则，说明CPU口线击穿。
三、功率不能达到到要求
1.线圈盘短路：测试线圈盘的电感量：PSD系数为L=157±5?H，PD系列为L=140±5?H。
2.锅具与线圈盘距离是否正常。
3.锅具是否是指定的锅具。
四、检查各元气件是否松动，是否齐全。
装配后不良状况的检查：
1.不加热：检查互感器是否断脚。
2.插电后长鸣：检查温度开关端子是否接插良好。
3.无法开机：检查热敏电阻端子是否接插良好。
4.无小物检知（不报警）：检查电阻R301——R307是否正常。
R301——R302为68KΩ
R303——R306为130KΩ
R307为3.0KΩ
5.风扇不转；检查三极管Q2是否烧坏。（一般烧坏三极管引脚跟部已发黄；也可用万用表二极管档测量）
