MOS管也是三端压控元件，三端分别是G、D、S，可以等效于普通三极管的B、C、E三极，VGS的电压（=VG-VS）控制Mos 开关状态:
当VGS大于Von（开启电压，NMOS为2~4V，PMOS为-2~-4V）时就使得Mos打开，D& S两极之间导通，压降为零，阻抗较小，零点几欧姆；
同理当VGS小于Von时就使得Mos处于关闭状态，D& S两极之间阻抗很大；
所以，G极就是控制极；
要注意的是，Vgs不能太高，比如IRF530，Von的最大值为4V，可是击穿电压为正负20V；又比如IRF9530，开启电压为最大-4V，也就是说Vgs=-5V时已经打开，开启电压上限也为正负20V，当Vgs=-21V或者22V时，管子会被击穿。通常使用时，可以使所加电压Vgs=正负9伏比较适合。
优点：MOS管电路体积小，重量轻，寿命长，输入电阻大，噪声低，热稳定性好，抗辐射能力强，比三极管省电，电路效率高。控制时采用电压控制，非常方便。
缺点：特别怕静电；单管放大能力不如晶体管；PMOS管和结型需要使用负电压控制，使用不方便，且型号少，选择余地小；另外，大部分工程师在学习模拟电路的时候，都是以三极管电路为对象，对MOS管了解少，使用技巧和经验积累严重不足。
