你首先要明白，二极管的内电场是自己产生的，就是二级管造好就存在了，方向是由Ｎ指向Ｐ。形成的原因很简单，就是通过扩散，Ｎ极的电子跑到Ｐ去了，Ｐ的空穴跑到Ｎ去了，由于是自由扩散，电子和空穴都跑不远就停止了（相互吸引）。在ＮＰ的中间形成一个区域，叫ＰＮ结。ＰＮ结的本质是个电容，这个电容叫势磊电容，这个电容很有用，因为它可以随电压变化而改变容量的大小，这里就不多说了。
电子自然带负电荷，空穴带正电荷，所以这个电场方向是由正电荷指向负电荷，也就是由Ｎ指向Ｐ了。这个扩散过程很短，在制作二极管的瞬间就完成了，只需用几个ns。
当你外加电场时，就是你接到直流电压两端时，很明显，如果你的方向时Ｎ接电源正极，Ｐ接负极，那么，内部电场是被加强了，两方会有更多的电荷被吸引到对方去了，这时候由电子和空穴组成的阻挡层就会变厚，厚到外加电场的电荷都不能通过，整个电路就不会有电流通过，这叫断路，这时候内外电场的强度相等，方向相反。电子线路中这种状态叫反偏状态。
当你Ｐ接电源正极，Ｎ接电源负极是，外加电场和内电场相反，Ｎ极会把自己的电子吸引回去，Ｐ极也会把自己的空穴吸引回去，那么，阻挡层就变薄了，如果外电场电压够大，阻挡层就会消失，那么，电荷就可以在这个区域通行无阻，整个电路就能通过电流。一般来讲，对硅二极管，这个电压是０７Ｖ，锗二极管是０４Ｖ，这个电压叫开启电压，小于这个电压叫死区电压。
现在你会自己分析了吧。搞懂了原理，一切就简单了。你自然就会自己分析了。
pn结的工作原理？详解
并联电路中的总功率的计算方式方法与串联电路的总功率的计算方式方法是一致的，均可以通过两种方式计算：
方式一：
利用总电压U总、总电流I总、总电阻R总，根据公式“P总=U总I总=I总²R总=U总²/R总”当中的一个适合的公式直接计算总功率。
（1）串联电路中，R总=R1+R2+---+Rn；
（2）并联电路中，1/R总=1/R1+1/R2+---+1/Rn。
方式二：
先计算各个电阻的电功率，再把各个电阻的电功率相加，从而求得总功率。
（1）先利用各个电阻的电压U、电流I、电阻R，根据公式“P=UI=I²R=U²/R”当中的一个适合的公式，分别计算各个电阻的电功率“P1、P2、---、Pn”；
（2）再根据“P总=P1+P2+---+Pn”间接计算总功率。
扩展资料：
并联电路中各支路电压和电源电压相等。U=U1=U2
电阻：
1 串联电路中总电阻等于各串联电阻之和。总电阻要比任何一个串联分电阻阻值都要大。（总电阻越串越大）R=R1+R2
2 并联电路中总电阻的倒数等于各并联分电阻的倒数和。总电阻要比任何一个并联分电阻阻值都要小。（总电阻越并越小）R=R1R2/R1+R2（上乘下加）或：总电阻的倒数等于各支路的电阻倒数之和。
3 因此几个电阻连接起来使用，要使总电阻变小就并联；要使总电阻变大就串联。
4 如果n 个阻值都为 R0 的电阻串联则总电阻R=nR0
5 如果n个阻值都为 R0 的电阻并联则总电阻 R=R0/n
电功：
1 串联电路：总电功等于各个用电器的电功之和。即：W总＝W1＋W2＋…Wn
电流通过各个用电器所做的电功跟各用电器的电阻成正比，即：
2 并联电路：总电功等于各个用电器的电功之和。即：W总＝W1＋W2＋…Wn
电流通过各支路在相同时间内所做的电功跟该支路的电阻成反比。即：
电功率：
1 串联电路：总电功率等于各个用电器实际电功率之和。即：P总＝P1＋P2＋…Pn
各个用电器的实际电功率与各用电器的电阻成正比
2 并联电路：总电功率等于各个用电器的电功率之和。即：P总＝P1＋P2＋…Pn各支路用电器的实际电功率与各个支路的电阻成反比。
3 电流(A)： I=U/R（电流随着电压，电阻变）
4 电压(V)： U=IR（电压不随电流变。电压是产生电流的原因）
5 电阻（Ω)：R=U/I(对于此公式不能说电阻与电压成正比，与电流成反比。电阻与电流、电压没有关系。只与本身材料，横截面积，长度，温度有关)
6 电能(J)：W=UIt , W=Pt（此二式是普适公式）
W=I2Rt, W=U2t/R (适用于纯电阻电路中)
KWh也是电能的单位俗称度。1KWh=36×106 J
7 电热(J)：Q=I2Rt(普适公式)在纯电阻电路中（消耗电能全部用来产生热量的电路），Q=W。所以在纯电阻电路中算电热可通过算电能来实现。注意：接有电动机的电路不是纯电阻电路，在这样的电路中计算只能用普适公式。
8 电功率(W)：P=UI, P=W/t（此二式是普适公式）
P=I2R, P=U2/R(适用于纯电阻电路中)
非纯电阻只能用：W=UIt , W=Pt Q=I2Rt P=UI, P=W/t 欧姆定律不成立
参考资料：
什么是PN结构
PN结的形成：
PN结是由一个N型掺杂区和一个P型掺杂区紧密接触所构成的，其接触界面称为冶金结界面。
在一块完整的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，我们称两种半导体的交界面附近的区域为PN结。
在P型半导体和N型半导体结合后，由于N型区内自由电子为多子空穴几乎为零称为少子，而P型区内空穴为多子自由电子为少子，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。
由于自由电子和空穴浓度差的原因，有一些电子从N型区向P型区扩散，也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。
它们扩散的结果就使P区一边失去空穴，留下了带负电的杂质离子，N区一边失去电子，留下了带正电的杂质离子。
开路中半导体中的离子不能任意移动，因此不参与导电。这些不能移动的带电粒子在P和N区交界面附近，形成了一个空间电荷区，空间电荷区的薄厚和掺杂物浓度有关。
在空间电荷区形成后，由于正负电荷之间的相互作用，在空间电荷区形成了内电场，其方向是从带正电的N区指向带负电的P区。显然，这个电场的方向与载流子扩散运动的方向相反，阻止扩散。
另一方面，这个电场将使N区的少数载流子空穴向P区漂移，使P区的少数载流子电子向N区漂移，漂移运动的方向正好与扩散运动的方向相反。
从N区漂移到P区的空穴补充了原来交界面上P区所失去的空穴，从P区漂移到N区的电子补充了原来交界面上N区所失去的电子，这就使空间电荷减少，内电场减弱。因此，漂移运动的结果是使空间电荷区变窄，扩散运动加强。
最后，多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。在P型半导体和N型半导体的结合面两侧，留下离子薄层，这个离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。
PN结的内电场方向由N区指向P区。在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。
扩展资料：
Pn结采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。
PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。
PN 结的击穿机理
PN 结构成了几乎所有半导体功率器件的基础，目前常用的半导体功率器件如DMOS，IGBT，SCR 等的反向阻断能力都直接取决于 PN 结的击穿电压，因此，PN 结反向阻断特性的优劣直接决定了半导体功率器件的可靠性及适用范围。
在 PN结两边掺杂浓度为固定值的条件下，一般认为除 super junction 之外平行平面结的击穿电压在所有平面结中具有最高的击穿电压。
实际的功率半导体器件的制造过程一般会在 PN 结的边缘引入球面或柱面边界，该边界位置的击穿电压低于平行平面结的击穿电压，使功率半导体器件的击穿电压降低。
由此产生了一系列的结终端技术来消除或减弱球面结或柱面结的曲率效应，使实际制造出的 PN 结的击穿电压接近或等于理想的平行平面结击穿电压。
当 PN 结的反向偏压较高时，会发生由于碰撞电离引发的电击穿，即雪崩击穿。存在于半导体晶体中的自由载流子在耗尽区内建电场的作用下被加速其能量不断增加，直到与半导体晶格发生碰撞，碰撞过程释放的能量可能使价键断开产生新的电子空穴对。
新的电子空穴对又分别被加速与晶格发生碰撞，如果平均每个电子（或空穴）在经过耗尽区的过程中可以产生大于 1 对的电子空穴对，那么该过程可以不断被加强，最终达到耗尽区载流子数目激增，PN 结发生雪崩击穿。
参考资料 :----PN结
3pn是电路上什么意思三相电
您好
您说的是半导体材料中的PN结吧
这是说一块P型半导体（电子为多数载流子）和一块N型半导体（空穴为多数载流子）相互结合后 形成的一个PN结
一般二极管的结构就是如此 PN的特性是单向导电性
在直流电路中非常常见
谢谢
3P——表示三相电源，P是英文“phase”的第一个字母，是“相”的意思，3P即三相；
n——标示带中性线，是英文“Neutral line”首字母，就是中性线（零线）的意思。
