光偶驱动，你什么意思啊，需要隔离么？如果本来就共地没必要隔离；如果你是PWM调制信号还是用隔离变压器好，通过专门的驱动IC(我忘了，好像是IRF做的)驱动变压器，时间匹配是最好的。还有你烧掉是不是速度不够快啊，你要看看你的光偶开关速度，便宜的普通光偶开关速度几十微秒的，一般就用来驱动一下逻辑，也有高速光偶的，你要选型的
问下各位电子发烧友 驱动MOS 栅极直接用光耦可以不 为啥还要用专业驱动芯片呢
光耦驱动电路原理：电流通过5V电源，送低电平到发光二极管，因为有电流通过而发光，电阻R2，T1就导通，T1的E和C，到地，光耦的发光二极管，电源VCC通过R3，到地，致使三极管接收端导通。
光耦合器亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。它是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器（红外线发光二极管LED）与受光器（光敏半导体管）封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接受光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电—光—电”转换。
求能工作在10MHZ频率的光耦芯片，是想用来驱动MOS管的，能直接驱动最好，不能是不是要外加驱动电路呢？
MOS管驱动需要对栅极快充快放电，以降低管子开关损耗。用专门驱动电路或芯片的目的就是起到这个作用。用光耦由于里面只有一个三极管，驱动时只能做到快充或快放不能兼顾。另外，光耦驱动负载能力有限，大功率MOS管在快速开关过程中是需要较高驱动能力的。
光耦驱动场效应管做开关
东芝光耦有很多种类，高速光耦有：TLP117: 5 V, 50 Mbps/TLP2066: 33 V, 20 Mbps/TLP2116: 5 V, 20 Mbps (2-in-1)。
IRFZ24N是绝缘栅型N沟道场效应管，顾名思义，g栅极与其它各电极是绝缘的，只要电压，不需电流。
只要电压大于开启电压，就能导通，显然12v应该大于它的导通电压了。
可以在R3后用一个电阻接地（分压），使光耦未导通时g栅极电压Ugs小于IRFZ24N的开启电压。。。这个接地电阻即所谓的“下拉电阻”，下拉到地，确保截止。
