铜线的电阻率ρ为00175 Ω · mm2/m，则L=60m长，截面积S=1mm2铜线的电阻为：
R=ρL/S=00175 Ω60/1=105Ω
电流Ⅰ=10A的情况下，一根60m长电线上的压降△U=ⅠR=10105=105V，来回共两根线，压降将达到21V，如果你输入端（始端）的电压低于31V，则终端就不可能得到12V的电压。
解决这个问题，必须要知道你允许的最低电压，否则无法确定最小的电线截面。
假如12V始端电压不变，则使用10mm2的铜电线，终端电压将比始端电压低21V，不知道是否能满足要求。如果还不行，则使用25mm2的铜电线，终端电压只比始端电压低084V，兴许够了。
Vref是参考电压，指电路中一个与负载、功率供给、温度漂移、时间等无关，能保持始终恒定的一个电压。参考电压可以被用于电源供应系统的稳压器，模拟数字转换器和数字模拟转换器，以及许多其他测量、控制系统。
参考电压的大小在不同的应用中有所不同，例如在计算机电源供应系统里，参考电压误差不大于其标称值附近百分之一至百分之几间，而实验室的参考电压标准则拥有更高的、以百万分率度量的稳定性和精确度。
VTT用作上拉，稳定信号传输，VREF在DDR1， DDR2，DDR3内存插槽的1脚上都能测量到，VTT电压在内存插槽旁边的排阻上测量，DDR3的VTT电压值可以在120/240脚测量，VTT和VREF电压值为内存主供电电压值得一半。
扩展资料
对于电源电压，DDR SDRAM系统要求三个电源，分别为VDDQ、VTT和VREF。尽管DDR存储器在无需加倍时钟频率的情况下使数据传输率加倍，避免了PC板设计和布局的复杂性，但它要求有更严格的DC稳压、更高的电流和对端电源电压 (VTT)和存储总线电压(VDD)紧密的跟踪。
新型串联端接逻辑(SSTL)拓扑的引入是用于提高抗噪性、增加电源抑制并使用更低的电源电压以降低功耗。
JEDEC标准JESD8-9A(用于SSTL_2)定义了VDDQ、VTT和VERF以及驱动器/接收器规格以满足在VDDQ= 25 V (用于 DDR1)时的噪声容限。下面，我们看看这种接口以更好的理解VREF和VTT的需要。
