二极管的特性：
1、正向性
外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通。
叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为05V，锗管约为01V。硅二极管的正向导通压降约为06~08V，锗二极管的正向导通压降约为02~03V。
2、反向性
外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。
1）、击穿
外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被永久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。
二极管是一种具有单向导电的二端器件，有电子二极管和晶体二极管之分，电子二极管因为灯丝的热损耗，效率比晶体二极管低，所以现已很少见到，比较常见和常用的多是晶体二极管。二极管的单向导电特性，几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。
二极管的管压降：硅二极管（不发光类型）正向管压降07V，锗管正向管压降为03V，发光二极管正向管压降会随不同发光颜色而不同。主要有三种颜色，具体压降参考值如下：红色发光二极管的压降为20--22V，**发光二极管的压降为18—20V，绿色发光二极管的压降为30—32V，正常发光时的额定电流约为20mA。
二极管的电压与电流不是线性关系，所以在将不同的二极管并联的时候要接相适应的电阻。
2）、特性曲线
与PN结一样，二极管具有单向导电性。硅二极管典型伏安特性曲线（图）。在二极管加有正向电压，当电压值较小时，电流极小；当电压超过06V时，电流开始按指数规律增大，通常称此为二极管的开启电压；当电压达到约07V时，二极管处于完全导通状态，通常称此电压为二极管的导通电压，用符号UD表示。
对于锗二极管，开启电压为02V，导通电压UD约为03V。在二极管加有反向电压，当电压值较小时，电流极小，其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超过某个值时，电流开始急剧增大，称之为反向击穿，称此电压为二极管的反向击穿电压，用符号UBR表示。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大，从几十伏到几千伏。
3、反向击穿
1）、齐纳击穿
反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。
2）、雪崩击穿
另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结永久性损坏。
主要参数：
用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。对初学者而言，必须了解以下几个主要参数：
1、最大整流电流IF
是指二极管长期连续工作时，允许通过的最大正向平均电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为141左右，锗管为90左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下，二极管使用中不要超过二极管最大整流电流值。例如，常用的IN4001－4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。
2、最高反向工作电压Udrm
加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了最高反向工作电压值。例如，IN4001二极管反向耐压为50V，IN4007反向耐压为1000V。
3、反向电流Idrm
反向电流是指二极管在常温（25℃）和最高反向电压作用下，流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25℃时反向电流若为250uA，温度升高到35℃，反向电流将上升到500uA，依此类推，在75℃时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25℃时反向电流仅为5uA，温度升高到75℃时，反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。
4动态电阻Rd
二极管特性曲线静态工作点Q附近电压的变化与相应电流的变化量之比。
5最高工作频率Fm
Fm是二极管工作的上限频率。因二极管与PN结一样，其结电容由势垒电容组成。所以Fm的值主要取决于PN结结电容的大小。若是超过此值。则单向导电性将受影响。
6，电压温度系数αuz
αuz指温度每升高一摄氏度时的稳定电压的相对变化量。uz为6v左右的稳压二极管的温度稳定性较好。
二极管正向电压从07V增大15%时，流过电流增大？
硅材料二极管的正向导通压降一般为05V~12V左右，锗材料二极管的正向导通压降一般为02V~04V左右，但是做不到零伏（理想状态）。
若使用万用表电压档测量二极管的正向导通压降为0V，有可能该二极管已击穿，或者该二极管后端完全悬空（无电流），或者该二极管并联有其它几乎无压降电路造成。
二极管并联有其它电路。当电路板上的二极管并联有其它元器件时，直接在电路板上测量其正向导通压降是有可能为0V的情况。
扩展资料：
导通内阻20mΩ的场效应管，工作电流为1A时，压降只有20mV，几乎零压降。上图是采用P沟道的场效应管代替普通二极管作为防反接电路。
其具体工作过程为：（假设电源为10V，二极管D1的压降为07V）上电瞬间，场效应管控制端G极串联电阻R1接负极，电压为0V，漏极D电压为10V，S极电压为0V，VGS=0V，场效应管截止。
然后电流从二极管D1流过形成回路，电流经过场效应管S极时，S极的电压为93V，此时VGS=-93V，场效应管Q1饱和导通，此时二极管的压降几乎为零。由此可见，虽然正常工作时二极管D1的压降几乎为零，完全不起作用。但是去掉这个二极管就不行，去掉之后场效应管Q1永远无法导通。
二极管正向电压从07V增大15%时，流过电流增大，因为二极管是非线性元件，07V正好是硅二极管的导通电压，在这个电压附近，当电压增加15%时，也就是0，这时电子可以在外加电场里面自由移动形成电。
二极管中，当PN结两端加正向电压（即P侧接电源的正极，N侧接电源的负极），此时PN结呈现的电阻很低，正向电流大（PN结处于导通状态）。相当于在两端加上了正向电压，它处于导通状态，电阻很小，此电阻叫正向电阻，只有几欧姆，如有灯泡和它串联，灯泡会发光。
由于电阻的分压，随着电流的增大二极管压降也会增大，这些电阻分量在几百mA至几A的情况下，压降是很明显的，在小电流时主要由伏安特性决定压降，而大电流时则主要由体电阻决定压降。
扩展资料：
二极管在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。
当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。
硅二极管的正向导通压降约为06~08V，锗二极管的正向导通压降约为02~03V。
-二极管
-正向电压
