回答问题可能不是特别对口，部分题目不是特别详细，也没办法详细。如果有疑问再追问或者联系我。
1膜层厚度测量问题：如果是纯净的氧化锌，或者说是透明的，就可以用光学方法测量膜层厚度，如果是非透明的，就用台阶仪，这量类的测量厚度的光学仪器不少，我不再细说。需要注意的是选择适当的测量范围的仪器。
2一般磁控溅射可以分为直流（二级）溅射、中频、射频。直流溅射电源便宜，沉积膜层致密度较差，一般国内光热、薄膜电池选择使用的方法，能量较低，溅射靶材为金属靶材。射频能量较高，一般溅射陶瓷靶材。中频两者之间，溅射靶材也为金属靶材。
3金属靶材溅射过程中，具有溅射速率和沉积速率。溅射速率是靶材原子被溅射逸出的情况，而沉积在基体上的情况为沉积速率，两者在溅射气压等外界环境不同的情况下，并不成正比。但是需要固定工艺下的长时间计算可以确定镀膜时间的。（但是这个时间一般按照溅射完成后膜层的厚度测量来的更加准确）
4在金属靶材溅射过程中，如果想达到氧化亚锌的理想值，比较难，需要精确控制溅射产额和氧气流量。一般溅射物质为氩气（价格便宜，溅射产额较高）。主要为控制过程，国内的质量流量计一般都比较粗，建议用压电陶瓷阀，德国的sus04。另一个方案是射频溅射氧化亚锌陶瓷靶材，这个容易控制溅射后沉积膜层的两元素的比值。但是需要靶材符合两元素的比之条件，另外，在射频溅射过程中，需要严格控制靶材，陶瓷靶溅射过程中，容易断裂。还有就是射频的危害性较大。
以上为泛泛而谈。如果不通，精确讨论是免不了的。
求助 磁控溅射法有哪些种类？反应磁控溅射法是不是分为直流磁控溅射法和交流磁控溅射法
1）靶的污染：靶表面形成了非导电的化合物或者导电很差的化合物之后，除了放电电压及沉积速率变化之外，还会因为靶面状况的动态变化引起膜成分及结构的变化；
2）阳极消失：当阳极上化合物沉积到一定厚度时就中断了电荷传导的通路，造成电荷不断积累，最终阳极失去作用，辉光放电不稳定，沉积的膜层性能不一致。因此经常清理阳极是必要的；
3）极间打火：随阴阳极覆盖化合物，导电性能变差或丧失使电子积累。若要维持辉光放电，必须提高外加电压，结果造成阴极表面化合物的击穿，形成弧光放电。严重的影响溅射过程的稳定性，并造成膜的缺陷。最有效的解决方法是改变放电模式，采用交流及脉冲溅射。
2、中频溅射及脉冲溅射:在靶上加一个交变电压，当工作在负电压阶段时，靶被溅射；工作在正电压阶段时，中和靶面积累的正电荷，这就是交流溅射技术。电压波形是非对称的矩形波的溅射方法称为脉冲溅射；电压波形是对称的方波或正弦波称交流溅射。在一个给定电场强度下，频率越高，溅射产额越低。实验发现在频率为60kHz、80kHz、500kHz和135MHz时的溅射产额分别为直流溅射时的100%、85%、70%和55%，通常取10--80kHz。因此也称交流溅射为中频溅射。
中频溅射常用于孪生靶，也叫对靶是近乎完全相同的两个靶相对而立，各自与电源的两个极相连，并与真空室处于悬浮状态。在溅射过程中，两个靶周期性的交替作为阴极和阳极处于低电位的靶吸引正离子产生溅射，处于高电位的另一个靶吸引电子中和靶面积累的正离子，抑制了溅射时的打火现象，同时消除了“阳极消失”现象。
直流磁控溅射 射频磁控溅射 不同的原因
主要的溅射方法可以根据其特征分为以下四种：（1）直流溅射；（2）射频溅射；（3）磁控溅射；（4）反应溅射。另外，利用各种离子束源也可以实现薄膜的溅射沉积。
磁控溅射是在二极直流溅射的基础上，在靶表面附近增加一个磁场。电子由于受电场和磁场的作用，做螺旋运动，大大提高了电子的寿命，增加了电离产额，从而放电区的电离度提高，即离子和电子的密度增加。放电区的有效电阻变小，电压下降。另外放电区集中在靶表面，放电区中的离子密度高，所以入射到靶表面的离子密度大大提高，因而溅射产额大大增加。
磁场如果能够自闭和称为平衡磁控溅射，不能自闭和称为非平衡磁控溅射。
溅射电源通常有下列几种，直流电源，射频电源，直流脉冲电源和中频电源。溅射电源频率区间为5 ~ 30MHz的称为射频溅射。
其它都一样，就是所用电源不一样。直流运用直流电源，射频运用交流电源（射频属于交流范畴，频率是1356mhz。我们平常的生活用电频率为50hz）。还有就是用途不太一样，直流磁控溅射一般用于导电型（如金属）靶材的溅射，射频一般用于非导电型（如陶瓷）靶材的溅射。
