一、场效应管的分类 按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。见下图。
二、场效应三极管的型号命名方法 第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。
三、场效应管的参数 1、I DSS — 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压U GS=0时的漏源电流。 2、UP — 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。 3、UT — 开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。 4、gM — 跨导。是表示栅源电压U GS — 对漏极电流I D的控制能力，即漏极电流I D变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。 5、BUDS — 漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。 6、PDSM — 最大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。 7、IDSM — 最大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM
2为什么有的电路只考虑1/gm,有的必须考虑1/gmb有的三者都要考虑
用最常用的 LS 系列参数计算（最大指标）：
高电平输出：400 / 20 = 20
低电平输出：8 / 04 = 20
实际设计电路要考虑很多因素：工作频率、印刷版走线、芯片分布范围，最多驱动7、8个。
G M 是什么意思
这种问题要去看运放的电路结构，就拿最典型的双极型运放来说：
1、它的输入级采用差分放大电路，而且应用了镜像恒流源这类技术，恒流源理论上内阻无穷大，所以导致运放的输入电阻也极大。
2、运放输出级一般都是乙类推挽放大电路，是共集放大电路的改进型。共集电路本身输出电阻就很小，比输出级的发射极电阻还要小，这个发射极电路是考虑到实际三极管的工作状态才设置现在的几十欧的水平，如果三极管是理想的，这个电阻可以下降到近似0的水平。运放也沿用了这个特点，实际运放一般都在几十欧姆水平。
如果是MOS管输入结构的运放，那就更不用说了，输入电阻本身就有10^12欧姆级别，再加上恒流源效应，如果想要把这些问题都弄清楚，那就从基础放大电路开始，同时研究现实运放的电路结构和特点。
扩展资料：
一个理想的运算放大器（ideal OPAMP）必须具备下列特性
1、无限大的输入阻抗（Zin=∞）：理想的运算放大器输入端不容许任何电流流入，即上图中的V+与V-两端点的电流信号恒为零，亦即输入阻抗无限大。
2、趋近于零的输出阻抗（Zout=0）：理想运算放大器的输出端是一个完美的电压源，无论流至放大器负载的电流如何变化，放大器的输出电压恒为一定值，亦即输出阻抗为零。
3、无限大的开回路增益（Ad=∞）：理想运算放大器的一个重要性质就是开回路的状态下，输入端的差动信号有无限大的电压增益，这个特性使得运算放大器十分适合在实际应用时加上负反馈组态。
4、无限大的共模抑制比（CMRR=∞）：理想运算放大器只能对V+与V-两端点电压的差值有反应，亦即只放大V + V 的部份。对于两输入信号的相同的部分（即共模信号）将完全忽略不计。
5、无限大的带宽：理想的运算放大器对于任何频率的输入信号都将以一样的差动增益放大之，不因为信号频率的改变而改变。
TΩ、GΩ、GMΩ是什么意思？怎么读？
早期，并不存在G M一词，他是随着网游的兴起，而逐渐出先的。就现在来说，GM主要表示一个意思，即
1在网游戏中，对游戏管理员或者客服的称谓，也可做 Game Management。
2同样是在网游中，GM是对游戏中，官方特定以普通玩家身份，出现在网络游戏中，调查一些玩家意见的特殊玩家。这些玩家不仅拥有调查者的身份，并且可以免费购买游戏中需要以人民币来购买的物品。
随着社会的发展，网络技术的进步，越来越多的网络游戏出现在人们的生活当中，GM一词也就越来越频繁的被人们使用。
电路中MOS管的跨导值是什么意思？
1TΩ=1000GΩ ，读作1T 欧姆=1000G欧姆。1GΩ =1000MΩ，读作1G欧姆=1000M欧姆。
欧姆定律的定义：
欧姆定律（Ohm′s law）是关于导体两端电压与导体中电流关系的定律。电学的基本实验定律之一。由德国物理学家欧姆于1827年首先通过实验发现。其表述为：通过导体的电流I与其两端之间的电势差U成正比。欧姆定律的数学表达式为I=U/R。
欧姆定律的适用范围：
对有些导体（如电离气体）和半导体，欧姆定律明显地不再满足。它们的电压与电流之间的关系可用一曲线表示，这个关系曲线叫做伏—安特性曲线。对于半导体组成的电路元件，其伏—安特性曲线，当电压从正向连接改为反向连接时，会出现迥然不同的形状。这类导体被认为具有非线性电阻，在电工技术中（特别是电子电路中）非线性电阻有着广泛的应用。
MOS管的gm如同三极管的β，是衡量MOS管放大能力的标志之一。
不过话说回来，不是什么时候都需要放大能力强，比如在做开关管的时候，就需要器件能很快地在饱和、截止状态之间转换，达到深度饱和的速度要快。这时候，gm就不能太大。
另外，gm越大，要造出大功率的管子难度也越大，价格越高。市面上的小功率管gm可以很高，但大功率管的话，gm一般都很小。
