与锗相比，硅原子对电子的吸引力更大一些，使电子离开硅原子核需要的能量也就更大一些。~能不能再补充说明？ 补充： "锗的ni"ni 是什么？ 满意答案一粒米8级2009-03-081） 硅二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多，锗管为mA级，硅管为nA级。这是因为在相同温度下锗的ni比硅的ni要高出约三个数量级，所以在相同掺杂浓度下硅的少子浓度比锗的少子浓度低的多，故硅管的反向饱和电流Is很小。2） 在正向电压很小时，通过二极管的电流很小，只有正向电压达到某一数值Ur后，电流才明显增长。通常把电压Ur称为二极管的门限电压，也称为死区电压或阈值电压。由于硅二极管的Is远小于锗二极管的Is，所以硅二极管的门限电压大于锗二极管的门限电压。一般硅二极管的门限电压约为05V~06V, 锗二极管的门限电压约为01V~02V。○Οο海оΟ 的感言： 基体改进剂是？ 麻烦回一下~ 2009-03-08其他回答(2)ZZ10级2009-03-08你说的没错呀。
开启电压，死区电压，击穿电压
任何管的死区电压和饱和压降都是有区别的。
在定义上，死区电压是一个PN结的压降，饱和电压是集电极与发射极之间的电压。
在数值上，即使是同一只晶体管，在不同的集电极电流条件下饱和压降都是不一样的数值，更别说与死区电压相比。
死区电压也叫开启电压，击穿电压，是应用在不同场合的两个名称。死区电压，指的是即使加正向电压，也必须达到一定大小才开始导通，这个阈值叫死区电压，硅管约05V，锗管约01V。（硅和锗是制造晶体管最常用的两种半导体材料，硅管较多，锗管较少）
PN结的击穿机理
当 PN 结的反向偏压较高时，会发生由于碰撞电离引发的电击穿，即雪崩击穿。存在于半导体晶体中的自由载流子在耗尽区内建电场的作用下被加速其能量不断增加，直到与半导体晶格发生碰撞，碰撞过程释放的能量可能使价键断开产生新的电子空穴对。新的电子空穴对又分别被加速与晶格发生碰撞，如果平均每个电子（或空穴）在经过耗尽区的过程中可以产生大于 1 对的电子空穴对，那么该过程可以不断被加强，最终达到耗尽区载流子数目激增，PN 结发生雪崩击穿。
人生也如此。
绝大多数人痛苦在于：虽有向好之心，但是向好之心，但是好的程度太低，没有越过死区，调节系统还在死区里，无法产生大的动力，没有真正击穿，没有真正打通和开启一个稳定明显的好人因果循环。所以就非常纠结……
