IRF540N的导通起控电压为2-4V，GS极之间最高电压不能超过20V，质量较好的管子GS加6-8V就已经饱和导通（内阻最小），所以使用时如果有脉动或尖峰电压时，最好在GS两极之间接入一12-15V的快速稳压管。我曾经测试过几十万只这种场效应管，质量最好的是美国IR和HARRIS公司出品的管子，参数的一致性相当地好。
使用场效应管控制电流问题
是这样子的，电路有个参考点作为地，平时所说的电压都是相对于地做参考的，比如你所说的D极电压就是D极相对于地的电压。你所问的Vds是指D极相对于S极的电压，也就是由原来的参考地改为以S作为参考。简单来说就是你站在2楼以地面作为参考高度是10米的话，改为以1楼楼顶作为参考后高度就为5米了。
对于JFET来说，有增强型和耗尽型两种，如果是耗尽型，当栅源电压为零时，场效应晶体管导电沟道就是存在的，所以一定会有电流。但是如果你用的是增强型管子，理想状态是当你加的栅源电压小于阈值电压时，完全不会有电流，但是这也不可能，因为，反向漏电流是一定存在的。
如果是mos，也是一样的，因为mos和JFET都有漏电流，pn结也有，我们一般所知道的pn结单向导电性只是忽略了其反响漏电流的影响。
如果要减少漏电流的影响的话，第一，从工艺上改进，也就是做更好电学特性的场效应管，比如离子注入或增加栅氧厚度或采取更高介电系数的介质，以调节阈值电压，但这基本是不能做到的，因为我们不是厂家，我们的特殊需求成本太高。而且工艺上的东西都是很难说的，“蝴蝶效应”知道吧？对微电子器件尤其是对集成电路的生产都会造成巨大影响。
那么如何改善，我的想法是，串入一电流源，其电流方向与漏电流方向相反，大小基本相同，抵消漏电流的影响。
但是电流源也是由晶体管组成的，一样会有漏电流，所以，如果漏电流对你的电路影响不大的话，不需要采取什么措施。一般情况下其影响都是不大的，因为如果微小的漏电流必然影响电路特性的话，那我们还用各种晶体管做什么呢？
