ESD保护电路原理：将ESD静电保护二极管并联于电路中，当电路正常工作时，它处于截止状态（高阻态），不影响线路正常工作，当电路出现异常过压并达到其击穿电压时，它迅速由高阻态变为低阻态，给瞬间电流提供低阻抗导通路径，同时把异常高压箝制在一个安全水平之内，从而保护被保护IC或线路；当异常过压消失，其恢复至高阻态，电路正常工作。
当电压超过二极管的导通电压的时候，就导通接地放掉，正常信号一般达不到导通电压，不会达到该电压，所以不会通过地损耗，而ESD电压一般超过导通电压，会使二极管导通，ESD电压通过接地放掉，不打坏仪器内部。
适用于rf电路的esd防护器件有哪些
（Electrical Over Stress），指所有的过度电性应力。当外界电流或电压超过器件的最大规范条件时，器件性能会减弱甚至损坏。
1) 电源（AC/DC）干扰、电源噪声和过电压
2) 由于测试程序切换（热切换）导致的瞬变电流/峰值/低频干扰。其过程持续时间可能是几微秒到几秒（也可能是几纳秒），很短的EOS脉冲导致的损坏与ESD损坏相似
3) 闪电
4) 测试程序开关引起的瞬态/毛刺/短时脉冲波形干扰
5) 测试设计欠佳，例如，在器件尚未加电或已超过其操作上限的情况下给器件发送测试信号。再比如，在对器件供电之前加入测试信号，或超过最大操作条件
6) 来自其他设备的脉冲信号干扰，即从其他装置发送的脉冲
7) 不恰当的工作步骤，工作流程不甚合理
8) 接地点反跳（由于接地点不够导致电流快速切换转换引起高电压）
（Electrical Static Discharge），静电放电。电荷从一个物体转移到另外一个物体。
ESD危害的三种模型：HBM(Human body model人体模型)、CDM(charged device model带电器件模型)、MM(Machine model机器模型)。
ESD损伤是一种小级别的损伤，而EOS是大数据量级的损伤。
当上电时，ESD损伤会成为异常电路工作的一个焦点。而这种异常电路，会产生额外的功率发散。这种高功率的发散会造成异常严重广泛的损伤，对硅层、金属层、金属焊线等。
TTL电路对静电的要求怎样？其ESD等级是多少？
RF接口适用的ESD防护器件 低容值聚合物ESD抑制器χ38 低容值防护器件介绍 快速开关二极管PHILIPS TOSHIBA NEC INFINEON SEMI39 低容值防护器件介绍 TVSCAMD （CM12xx） PROTEK （POSTxxLC 40低容值防护器件介绍 MLVAVX EPCOS LITTELFUSE 41 低容值防护器件介绍 聚合物ESD抑制器Littlefuse （PGB） COOPER （ESDA） 42 RF电路ESD防护设计技术 RF接口ESD防护设计难点 RF电路ESD防护设计的一般要求 ESD防护设计方法和技巧 降低防护电路对RF信号质量的影响 43 RF接口ESD防护设计难点 阻抗匹配结电容 寄生电感 限幅导通电压 ESD信号的宽频谱特征44 RF接口ESD防护设计难点 ESD信号的频谱特征45 RF电路ESD防护设计的一般要求 整机、单板、组件外壳的空气和接触放电：8000V 整机、单板、组件外部RF接口的接触放电：4000V，不得低于2000V；内部 RF接口的接触放电：2000V，不得低 于1500V 无线终端外部接口的接触放电：4000V
取决于你的产品应用，一般来讲，TTL电路和CMOS电路对静电的要求一样，都是满足industry级要求，ESD等级要求通过2000V
(HBM)
和
200V
（MM）
