三极管的eb击穿电压比cb击穿是三极管的eb产生压降小于cb。三极管的击穿是指三极管的PN结不能产生压降限制电流的现象。e是发射极。b是基极。c是集电极。一般pnp型三极管，e接电源正极，b、c接电源负极。npn型管子电源正负正好相反。三极管e和b电压的差距在275v以上。三极管BE间的门槛电压是07v，三极管BE间的门槛电压是02v，而由外电路加在BE间的电压可以是动态变化的电压，当外加电压小于门槛电压值时，BE是关断的没有电流。
为什么三极管的eb击穿电压比cb击穿电压小
核心提示三极管的eb击穿电压比cb击穿是三极管的eb产生压降小于cb。三极管的击穿是指三极管的PN结不能产生压降限制电流的现象。e是发射极。b是基极。c是集电极。一般pnp型三极管，e接电源正极，b、c接电源负极。npn型管子电源正负正好相反。三极
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