砷化镓集成电路是以砷化镓（GaAs）半导体材料为基片制作的集成电路，其有源器件主要是金属基场效应晶体管和结型场效应晶体管，同时还包含了用高电子迁移率晶体管和异质结双极晶体管等器件所制的集成电路。
GaAs集成电路包括超高速集成电路、微波单片集成电路和光电集成电路。GaAs是一种重要的化合物半导体材料。GaAs集成电路与硅集成电路相比的优点是：电子迁移率比硅大5倍；GaAs工作温度范围宽，可以扩展到-70℃～300℃；抗辐照性能比硅高1～3个数量级。
GaAs集成电路主要应用于通信卫星、电视卫星接收机、移动通信、高清晰度电视、微波毫米波数字频率源、光通信、超高速率信号处理、微型超级计算机、高性能仪器、微波传感器以及国防军用电子装备等。
CMOS数字集成电路与TTL数字集成电路相比突出的优点是（）。
TTL集成电路使用TTL管，也就是PN结。功耗较大，驱动能力强，一般工作电压+5V
CMOS集成电路使用MOS管，功耗小，工作电压范围很大，一般速度也低，但是技术在改进，这已经不是问题。
就TTL与CMOS电平来讲，前者属于双极型数字集成电路，其输入端与输出端均为三极管，因此它的阀值电压是<02V为输出低电平；>34V为输出高电平。
而CMOS电平就不同了，他的阀值电压比TTL电平大很多。而串口的传输电压都是以COMS电压传输的。
1，TTL电平：
输出高电平>24V,输出低电平<04V。在室温下，一般输出高电平是35V，输出低电平
是02V。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=20V，输入低电平<=08V，噪声容限是
04V。
2，CMOS电平：
1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。
3，电平转换电路：
因为TTL和COMS的高低电平的值不一样（ttl
5v<＝＝>cmos
33v），所以互相连接时需
要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压，没有什么高深的东西。哈哈
4，OC门，即集电极开路门电路，OD门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能
将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱
动门电路。
5，TTL和COMS电路比较：
1）TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。
2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。
COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。
COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常
现象。
高速度。
模拟集成电路又称线性电路，用来产生、放大和处理各种模拟信号（指幅度随时间变化的信号。例如半导体收音机的音频信号、录放机的磁带信号等），其输入信号和输出信号成比例关系。
以占整个系统较大比例的数字电路模块（专门负责进行逻辑运算，处理的电信号都是离散的0和1）为例，是由寄存器和组合逻辑电路组成的。所谓寄存器就是一个能够暂时存储逻辑值的电路结构，需要一个时钟信号来控制逻辑值存储的时间长短。
扩展资料：
注意事项：
1、CMOS电路时电压控制器件，输入总抗很大，对干扰信号的捕捉能力很强。所以不用的管脚不要悬空，要接上拉电阻或者下拉电阻，给一个恒定的电平。
2、输入端接低内组的信号源时，要在输入端和信号源之间要串联限流电阻，使输入的电流限制在1mA之内。
3、当接长信号传输线时，在CMOS电路端接匹配电阻。
4、当输入端接大电容时，应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为R=V0/1mAV0是外界电容上的电压。
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-TTL电路
