几个方面可以考虑:
1 开关管的损耗其中又可分为直流损耗和交流损耗
直流损耗方面,如果是用MOSFET,要可能用Rds小的器件如果是用IGBT,同样要选导通压降小的
交流损耗方面,要尽可能提高开关管导通和截止的速度(斜率)这即取决于开关管的特性,也取决于开关管的驱动电路其中开关管的特性通常是和直流损耗有矛盾的
2 回路中的铜损简单说就是要阻抗小
3 控制及辅助电路的损耗
电源的效率——电源的输出功率 / 电源的总功率
电源的输出功率P=IU=I^R,
电源的总功率P总=IE=I(U+U内)=I^2(R+r),
电源的效率=P/P总100%=U/E100%=R/(R+r)100%
其中,U为路端电压,E——电动势,R——外电阻,r——电源的内阻
纯电阻电路中,改变外阻R,电源的效率会改变
