答案是可以的！具体请参考如下分析：
不过MOS驱动，有几个特别的需求
1，低压应用
当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有07V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有43V。这时候，我们选用标称gate电压45V的MOS管就存在一定的风险。
同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合。
2，宽电压应用
输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。
为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。
同时，如果简单的用电阻分压的原理降低gate电压，就会出现输入电压比较高的时候，MOS管工作良好，而输入电压降低的时候gate电压不足，引起导通不够彻底，从而增加功耗。
3，双电压应用
在一些控制电路中，逻辑部分使用典型的5V或者33V数字电压，而功率部分使用12V甚至更高的电压。两个电压采用共地方式连接。
这就提出一个要求，需要使用一个电路，让低压侧能够有效的控制高压侧的MOS管，同时高压侧的MOS管也同样会面对1和2中提到的问题。
在这三种情况下，图腾柱结构无法满足输出要求，而很多现成的MOS驱动IC，似乎也没有包含gate电压限制的结构。
下面这个设计是一个相对通用的电路来满足这三种需求。
电路图如下：
图1 用于NMOS的驱动电路
图2 用于PMOS的驱动电路
这里我只针对NMOS驱动电路做一个简单分析：
Vl和Vh分别是低端和高端的电源，两个电压可以是相同的，但是Vl不应该超过Vh。
Q1和Q2组成了一个反置的图腾柱，用来实现隔离，同时确保两只驱动管Q3和Q4不会同时导通。
R2和R3提供了PWM电压基准，通过改变这个基准，可以让电路工作在PWM信号波形比较陡直的位置。
Q3和Q4用来提供驱动电流，由于导通的时候，Q3和Q4相对Vh和GND最低都只有一个Vce的压降，这个压降通常只有03V左右，大大低于07V的Vce。
R5和R6是反馈电阻，用于对gate电压进行采样，采样后的电压通过Q5对Q1和Q2的基极产生一个强烈的负反馈，从而把gate电压限制在一个有限的数值。这个数值可以通过R5和R6来调节。
最后，R1提供了对Q3和Q4的基极电流限制，R4提供了对MOS管的gate电流限制，也就是Q3和Q4的Ice的限制。必要的时候可以在R4上面并联加速电容。
这个电路提供了如下的特性：
1，用低端电压和PWM驱动高端MOS管。
2，用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管。
3，gate电压的峰值限制
4，输入和输出的电流限制
5，通过使用合适的电阻，可以达到很低的功耗。
6，PWM信号反相。NMOS并不需要这个特性，可以通过前置一个反相器来解决。
单片机输出电压不够驱动mos管
这是一个控制电源通断的电路。AO3401是增强型PMOS，简单来说，当Vgs(即Q7的1-2间电压)有一个负压时，Q7就会导通，对于AO3401来讲，完全开通电压大约为-10V，但-33V也可以基本导通，只是阻抗略大（大约100毫欧），具体不同Vgs电压下导通阻抗可以查阅AO3401手册。对于图中电路，当CMMB_PWRON大于等于33V时，AO3401处于关断状态，后端电路没有供电，当CMMB_PWRON为0V时，AO3401导通，后端电路得到供电。使用此开关时，L12不应焊接，否则此电路没有意义。AO3401手册可以到wwwalldatasheetcom网站查询下载
单片机驱动mos管电路
描述
MOS管相比三极管来讲，具有更低的导通内阻，在驱动大功率的负载时，发热量就会小很多。MOS管的驱动与三极管有一个比较大的区别，MOS管是电压驱动型的元件，如果驱动电压达不到要求，MOS就会不完全导通，内阻变大而造成过热。
MOS管驱动电路
MOS管分为N沟道与P沟道两种，N沟道用于电源负极的控制，P沟道用于电源正极的控制，两者直接的控制信号电压也存在区别。对于NMOS来讲，当栅极与源极的电压超过一定电压阈值的之后就会导通，PMOS与之相反。
MOS管
NMOS与PMOS还有一点比较大的区别，NMOS的导通内阻一般比PMOS要小一些，并且制造成本性对较低，所以在功率较大的控制场合，一般会选用NMOS，当然也要根据控制电路的逻辑关系进行选择。以NMOS为例，当Vgs大于最小控制电压阈值时，MOS管会导通，但是其导通内阻无法达到最小设计值，所以想要保证其导通内阻，就要有足够的控制驱动电压。
MOS管
上图是常用N沟道MOS管AO4468参数手册中给出的导通内阻参考值，当控制电压45V的时候，导通内阻小于22mΩ；控制电压10V时，导通内阻小于14mΩ，从这个参数上能够看出，不同的驱动电压下，导通内阻是存在一定差别的。
单片机如何驱动MOS管
常用的单片机一般分为5V单片机与3V单片机，单片机的IO口输出的高电平电压最高是可以接近电源电压的，但会比电源电压小一些。由于三极管是电流驱动型的元件，所以不需要太高的驱动电压就可以饱和导通，而对于MOS管来讲，根据不同型号参数的，导通电压会有差别，单片机IO能够输出的电压，对于大部分的MOS管来讲是达不到其导通条件的。
MOS管
所以在单片机驱动MOS的电路中，通常会采用三极管作为前级驱动，由电源电压驱动MOS管开启，有些开启电压较高的MOS管，还会提高驱动电压，而不使用单片机的5V供电，比如12V、15V等等。
所以单片机不能直接驱动MOS管的主要原因是驱动能力的问题，单片机的IO输出的电压达不到MOS管的导通条件，或者达不到饱和导通的条件
这种用变压器升压的办法是不可行的，很难得到你要的电压和波形，原因你自己找开关电源方面的书就知道了。建议用dc-dc把18v电压变为60v，然后单片机加一级三极管驱动或光耦，再驱动一个mos管对60v电压进行开关就可以了。mos管可用irf630等
