假设在一台数字示波器上只看到这一点波型,知道变压器电感量为1mH, 通过从示波器上测量和计算,得出下列数值(只讲解方法就行了)
1)大约的交流输入电压值
2)次级反到初级的电压
3)占空比
4)变压器漏感
5)变压器和MOS的总杂散电容
6)变压器传送的能量
明显反激,而且是断续模式
刚开始是漏感震荡,后来是电感和mosfet的电容震荡
前一个直流电压是Vin+(Np/Ns)(Vo+VF(二极管导通压降))
后一个就是Vin
后一个震荡的周期可以算出Cds大小
高压时MOS的Cds很小,振荡的电容主体是变压器杂散电容
根据反射电压,反射电压持续时间,输入电压就可以计算导通时间,占空比也就出来了(伏特秒平衡),VrefTvref=VinTon
4,5问如我上所说,只有一个大概的估算
参考大家的理解,谈谈我的看法:
当MOS管电压上升到A点时,输出整流管导通,初级励磁电感箝位于V1 此时,漏感和杂散电容谐振, 由于变压器线圈存在直流和交流电阻,该振荡位阻尼振荡,消耗了漏感中的能量在B点时,励磁电感中电流下降为零,次级整流管自然截止,励磁电感上电压下降为零 励磁电感和杂散电容谐振,MOS管的杂散电容Coss向励磁电感放电,Vds电压下降,可从波形中得到验证
计算:
12:如图所示,可以读出反射电压V1,和Vin(DC)则,交流输入电压约为Vin(DC)/sqrt(2),不带PFC
3由伏秒平衡可得,Vin(dc)Ton=V1T1,可求得,Ton那么,占空比D=Ton/(Ton+T1+T2)
45:近似求解,从图中分别读出漏感、励磁电感同杂散电容谐振的频率,根据f=1/(2pisqrt(Lc)),由励磁电感感量已知,为1mH,可求得杂散电容值进一步就可求得漏感的感量、
6从波形中可以看出,此时该反激电路工作于断续模式,初级能量完全传送到次级
根据VinTon=LpIp,其中,Lp为1mH,就可求得初级峰值电流Ip,
那么,该变压器在一个周期内传送的能量为:1/2LpIp^2
什么是反射
一﹑首先对mos管的VD进行分段：
Ⅰ，输入的直流电压VDC；
Ⅱ，次级反射初级的VOR；
Ⅲ，主MOS管VD余量VDS；
Ⅳ，RCD吸收有效电压VRCD1。
二﹑对于以上主MOS管VD的几部分进行计算：
Ⅰ，输入的直流电压VDC。
在计算VDC时，是依最高输入电压值为准。如宽电压应选择AC265V，即DC375V。
VDC=VAC √2
Ⅱ，次级反射初级的VOR。
VOR是依在次级输出最高电压,整流二极管压降最大时计算的，如输出电压为：50V±5%（依Vo =525V计算），二极管VF为0525V（此值是在1N5822的资料中查找额定电流下VF值）．
VOR=(VF +Vo)Np/Ns
Ⅲ，主MOS管VD的余量VDS．
VDS是依MOS管VD的10%为最小值．如KA05H0165R的VD=650应选择DC65V．
VDS=VD 10%
Ⅳ，RCD吸收VRCD．
MOS管的VD减去Ⅰ，Ⅲ三项就剩下VRCD的最大值。实际选取的VRCD应为最大值的90%（这里主要是考虑到开关电源各个元件的分散性，温度漂移和时间飘移等因素得影响）。
VRCD=(VD-VDC -VDS)90%
注意：
① VRCD是计算出理论值，再通过实验进行调整，使得实际值与理论值相吻合．
② VRCD必须大于VOR的13倍．（如果小于13倍，则主MOS管的VD值选择就太低了）
③ MOS管VD应当小于VDC的2倍．（如果大于2倍，则主MOS管的VD值就过大了）
④ 如果VRCD的实测值小于VOR的12倍，那么RCD吸收回路就影响电源效率。
⑤ VRCD是由VRCD1和VOR组成的
Ⅴ，RC时间常数τ确定．
τ是依开关电源工作频率而定的，一般选择10~20个开关电源周期。
三﹑试验调整VRCD值
首先假设一个RC参数，R=100K/RJ15, C=10nF/1KV。再上市电，应遵循先低压后高压，再由轻载到重载的原则。在试验时应当严密注视RC元件上的电压值，务必使VRCD小于计算值。 如发现到达计算值，就应当立即断电，待将R值减小后，重复以上试验。（RC元件上的电压值是用示波器观察的，示波器的地接到输入电解电容“+”极的RC一 点上，测试点接到RC另一点上）
一个合适的RC值应当在最高输入电压，最重的电源负载下，VRCD的试验值等于理论计算值。
四﹑试验中值得注意的现象
输入电网电压越低VRCD就越高，负载越重VRCD也越高。那么在最低输入电压，重负载时VRCD的试验值如果大于以上理论计算的VRCD值，是否和（三）的内容相矛盾哪？一点都不矛盾，理论值是在最高输入电压时的计算结果，而现在是低输入电压。
重负载是指开关电源可能达到的最大负载。主要是通过试验测得开关电源的极限功率。
RCD吸收电路与RC电路的比较
采用RC、RCD吸收电路也可以对变压器消磁，这时就不必另设变压器绕组与二极管组成的去磁电路。变压器的励磁能量都在吸收电阻中消耗掉。RC与RCD吸收电路不仅消耗变压器漏感中蓄积的能量，而 且也消耗变压器励磁能量，因此降低了变换器变换效率。RCD吸收电路是通过二极管对开关电压嵌位，效果比RC好，它也可以采用较大电阻，能量损耗也比RC 小。
RCD吸收电路的影响
1RCD电容C偏大
电容端电压上升很慢，因此导致mos 管电压上升较慢，导致mos管关断至次级导通的间隔时间过长，变压器能量传递过程较慢，相当一部分初级励磁电感能量消耗在RC电路上 。
2RCD电容C特别大（导致电压无法上升至次级反射电压）
电容电压很小，电压峰值小于次级的反射电压，因此次级不能导通，导致初级能量全部消耗在RCD电路中的电阻上，因此次级电压下降后达成新的平衡，理论计算无效了，输出电压降低。
3RCD电阻电容乘积R×C偏小
电压上冲后，电容上储存的能量很小，因此电压很快下降至次级反射电压，电阻将消耗初级励磁电感能量，直至mos管开通后，电阻才缓慢释放电容能量，由于RC较小，因此可能出现震荡，就像没有加RCD电路一样。
4RCD电阻电容乘积R×C合理，C偏小
如果参数选择合理，mos管开通前，电容上的电压接近次级反射电压，此时电容能量泄放完毕，缺点是此时电压尖峰比较高，电容和mos管应力都很大
5RCD电阻电容乘积R×C合理，R，C都合适
在上面的情况下，加大电容，可以降低电压峰值，调节电阻后，使mos管开通之前，电容始终在释放能量，与上面的最大不同，还是在于让电容始终存有一定的能量。
反激电源问题
反射<生理>
反射在中枢神经系统参与下，机体对内外环境刺激所作出的规律性反应。反射活动的结构基础是反射弧。高等动物和人的反射有两种：一种是在系统发育过程中形成并遗传下来，因而生来就有的先天性反射，称非条件反射。它是由于直接刺激感受器而引起的，通过大脑皮质下各中枢完成的反射。例如，初生婴儿嘴唇碰到奶头就会吮奶；人进食时，口舌黏膜遇到食物，会引起唾液分泌。另一种是条件反射，是动物个体在生活过程中适应环境变化，在非条件反射基础上逐渐形成的后天性反射。它是由信号刺激引起，在大脑皮质的参与下形成的。条件反射是脑的一项高级调节功能，它提高了动物和人适应环境的能力。根据结构基础的不同，又可把反射分为简单和复杂的两种。最简单的反射是单突触反射。复杂的反射，是神经中枢分布较广，靠联络神经元组成复杂的链锁。反射是实现机能调节的基本方式。反射弧中任何一部位被破坏，反射就不能实现。由于突触在结构与功能上的特性，决定了反射弧上冲动的传导只能由感受器传向效应器。
简单来说，无论是简单的还是复杂的活动，都是主要靠神经系统来调节的。神经调节的基本方式是反射。
快速叩击一下膝盖下面的韧带，大腿的一些肌肉就会迅速收缩，从而使小腿突然抬起。类似的例子还有许多，比如手遇到烫的东西会回缩,物体在眼球前突然出现时会眨眼,婴儿膀胱里尿液多了就会立刻排尿，等等。像这样，人体通过神经系统，对外界或内部的各种刺激所发生的有规律的反应，就叫反射。（上述所说的例子都有一个共同点：人在作出上述反应时均为经过大脑处理。）
为什么有的反射可以不受大脑控制呢？要弄清这个问题，需要研究反射的结构基础——反射弧。
一位同学突然抓起一个烫手的馒头后，来不及考虑就迅速松手的反射。
在完成这个反射的同时，脊髓中通向大脑的神经元，还会将神经冲动传到大脑，使人感到烫。不过由于传向大脑的路径较长，在大脑作出判断之前，手指已经缩回了。分析这个实例可以看出，反射是通过一定的神经结构——反射弧完成的。人体具有许许多多的反射，也就有许许多多的反射弧。
缩手反射，眨眼反射，排尿反射和膝跳反射等，都是简单的，人生来就有的反射。就这类反射来说，只要出现刺激，正常的人体都会作出相应的反应。人通过长期的生活经验积累，还能形成复杂的反射。例如，同学们听到上课铃声，就会迅速走进教室；行人听到身后的汽车喇叭声，就会迅速躲避，等等。对于某些语音的刺激，也能形成复杂的反射。“望梅止渴”一词就是一个典型的例子。
反射<编程>
程序集包含模块，而模块包含类型，类型又包含成员。反射则提供了封装程序集、模块和类型的对象。您可以使用反射动态地创建类型的实例，将类型绑定到现有对象，或从现有对象中获取类型。然后，可以调用类型的方法或访问其字段和属性。反射通常具有以下用途：
1使用 Assembly 定义和加载程序集，加载在程序集清单中列出的模块，以及从此程序集中查找类型并创建该类型的实例。
2使用 Module 了解如下的类似信息：包含模块的程序集以及模块中的类等。您还可以获取在模块上定义的所有全局方法或其他特定的非全局方法。
3使用 ConstructorInfo 了解如下的类似信息：构造函数的名称、参数、访问修饰符（如 public 或 private）和实现详细信息（如 abstract 或 virtual）等。
4使用 Type 的 GetConstructors 或 GetConstructor 方法来调用特定的构造函数。
5使用 MethodInfo 来了解如下的类似信息：方法的名称、返回类型、参数、访问修饰符（如 public 或 private）和实现详细信息（如 abstract 或 virtual）等。使用 Type 的 GetMethods 或 GetMethod 方法来调用特定的方法。
6使用 FieldInfo 来了解如下的类似信息：字段的名称、访问修饰符（如 public 或 private）和实现详细信息（如 static）等；并获取或设置字段值。
7使用 EventInfo 来了解如下的类似信息：事件的名称、事件处理程序数据类型、自定义属性、声明类型和反射类型等；并添加或移除事件处理程序。
8使用 PropertyInfo 来了解如下的类似信息：属性的名称、数据类型、声明类型、反射类型和只读或可写状态等；并获取或设置属性值。
9使用 ParameterInfo 来了解如下的类似信息：参数的名称、数据类型、参数是输入参数还是输出参数，以及参数在方法签名中的位置等。
反射<电子>
反射就是在传输线上的回波。信号功率(电压和电流)的一部分传输到线上并达到负载 处，但是有一部分被反射了。如果源端与负载端具有相同的阻抗，反射就不会发生了。源端与负载端阻抗不匹配会引起线上反射，负载将一部分电压反射回源端。如果负载阻抗小于源阻抗，反射电压为负，反之，如果负载阻抗大于源阻抗，反射电压为正。布线的几何形状、不正确的线端接、经过连接器的传输及电源平面的不连续等因素的变化均会导致此类反射。
反射<物理>
声波、光波或其他电磁波遇到别的媒质分界面而部分仍在原物质中传播的现象
如光的反射,波的反射
反射率;又称反射本领,是反射光强度与入射光强度的比值不同材料的表面具有不同反射率,其数值多以百分数表示同一材料对不同波长的光可有不同的反射率,这个现象称为选择反射所以凡列举一材料的反射率均应注明其波长,例如,玻璃以可见光 的反射率约为4%
,金的选择性很强,在绿光附近的反射率为50%而对红外光的反射率可达96%以上,此外反射率还与反射材料周围的介质及光的入射角有关上面谈及的均是指光在各材料与空气分界面上的反射率,并限于正入射的情况
光的反射：光在两种物质分界面上改变传播方向又返回原来物质中的现象，
叫做光的反射。
理解光的反射定律
1在反射现象中，反射光线，入射光线和法线都在同一个平面内
2反射光线，入射光线分居法线两侧
3反射角等于入射角
可归纳为：“三线共面，两线分居，两角相等”
反激式开关电源中，开关管漏极最大电压是输入直流电压与二次反射电压(Uor)和变压器漏感产生的尖峰电
我们在设计反激变换器时通常更关注输入电压最低时的状态。
因为那时输入电流最大，占空比最大，变换器的发热通常也最大。
而输入电压在最高时往往会被设计者忽略。
此时功率管的电压应力达到最大，占空比最小，电流斜率最大，同样使产品面临危险。
反激变换器在连续电流模式，占空比的计算公式为：D=VOR/((VIN-VDS)+VOR)
VOR为反射电压（假设为100V），VIN为输入直流电压。VDS为开关管压降（假设为5V）。
注意计算最大占空比时VIN要按输入脉动直流的波谷电压计算，假设85VAC时对应VIN为60VDC。
而计算最小占空比时VIN要按输入脉动直流的波峰电压计算，假设265VAC时对应VIN为375VDC。
我们带入公式就可得到最大占空比约65%，而最小占空比约为21%。
上述计算是按连续电流模式计算的。
如果是电流非连续模式，要考虑电流纹波系数K大于1，占空比比连续模式的还要小一些。
再说说85VAC和265VAC是怎么来的。中国大路地区供电系统的相电压为220VAC。
按+20%的波动考虑，就是22012=264VAC，取个整也就是265VAC了。
同理，日本等地的供电是110VAC，按-20%波动考虑，11008=88VAC，取整就是85VAC了。
输入范围还可以更宽，但要牺牲很多性能，同时元器件也会难于采购并且成本陡升。
aa开关管在导通的时候其两端电压是几乎为零的，所以开关管的耐压指的是两种情况下的: 1，开关管承受正向电压且不导通时，称之为正向耐压。 2，开关管承受反向电压，此时开关也不可能导通，称之为反向耐压。
