此图为《电子技术基础》模拟部分的一个NMOS管的图 图中显示开启电压Vt(即删源之间的电压为2V）我查了一下基本元器件 《当VGS大于管子的开启电压VTN（一般约为+2V）时，N沟道管开始导通，形成漏极电流ID。》http://wwwmwteecom/forumphpmod=viewthread&tid=19941&ordertype=1&page=2网址
漏源电压3~20V左右（书中图示）具体元件你查一下它的主要参数就知道了
各位，场效应管K4107参数是多少，先谢了，
10N60参数为：场效应管
电压电流： 10A,600V
制造商零件编号: 10n60
种类: mosfet
沟道类型: n
最大耗散功率 (pd): 156
漏源电压 (uds): 600
栅源电压 (ugs): 30
最大漏极电流 (id): 10
最大工作温度 (tj), °c: 150
导通上升时间 (tr): 69
输出电容 (cd), pf: 166
静态的漏源极导通电阻 (rds), ohm: 072
封装形式: to-220_to-220f_to-220f1_to-220f2_to-262_to-263。
管子印有字体一面对着人脸，从左到右依次是一脚为G(栅极) ，二脚为D （漏极)，三脚为S（源极）。
扩展资料：
可以用指针式万用表测电阻法对场效应管进行测量。
场效应管的测量方法：
主板中常用的MOS管G D S3个引脚是固定的，不管是N沟道还是P沟道都一样，把芯片放正，从左到右分别为G极D极S极。
用二极管档对MOS管的测量，首先要短接三只引脚对管子进行放电。然后用红表笔接S极，黑表笔接D极，如果测得有500多的数值，说明此管为N沟道。黑笔不动用红笔去接触G极测得数值为1。红笔移回到S极此时管子应该为导通。
然后红笔测D极，而黑笔测S极应该测得数值为1。(这1步时要注意因为之前测量时给了G极25V万用表的电压，所以DS之间还是导通的，不过大概10几秒后才恢复正常，建议进行这1步时再次短接三脚给管子放电先)。
参考资料：
K4107为 500V、17A、 N沟道的场效应管，具体参数如下：
漏源电压（Drain−source voltage） VDSS=500 V，ID=15 A
栅源电压（Gate−source voltage ）VGSS ±30 V
漏极功率耗散功率（Drain power dissipation） PD=150 W（Tc = 25°C）
低漏源电阻（Low drain−source ON resistance） : RDS (ON) = 0 33
Ω （typ）
高正向转移导纳（High forward transfer admittance） : |Yfs| = 85 S（typ）
低漏电流（Low leakage current） : IDSS = 100 μA (max) (VDS = 500 V)
门限： Vth = 20~40 V (@VDS = 10 V，ID = 1 mA)。
