CMOS本意是指互补金属氧化物半导体。它是一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料，在模拟集成电路中，它主要作为电压控制的放大器而大量使用。
模拟集成电路主要是指由电容、电阻、晶体管等组成的模拟电路集成在一起用来处理模拟信号的集成电路。有许多的模拟集成电路，如运算放大器、模拟乘法器、锁相环、电源管理芯片等。模拟集成电路的主要构成电路有：放大器、滤波器、反馈电路、基准源电路、开关电容电路等。
模拟集成电路设计主要是通过有经验的设计师进行手动的电路调试，模拟而得到，与此相对应的数字集成电路设计大部分是通过使用硬件描述语言在EDA软件的控制下自动的综合产生。
一、按制造门的电路晶体管的不同分类：
1MOS型：CMOS、NMOS、PMOS（主要用于数字逻辑电路系统）
2双极型：TTL，ECL（Emitor-coupled logic：设计耦合逻辑门）
3混合型：BiCOMS：主要用在射频系统。
二、各不同晶体管逻辑门构成的电路特点：
1BJT：高速，高驱能力。
2CMOS：高密度，低功耗，低成本。
3ECL：速度快但功耗高。
三、介绍CMOS基础逻辑门电路：
一、CMOS反相器---非门
CMOS反相器电压传输特性
CMOS电流传输特性：
特点：1静态功耗低
2MOS管的导通电阻低，截止电阻高，带电容负载能力强（时间常数=RC，导通电阻小，充放电时间短。）
3输入阻抗高，理论上可驱动任意数目同类门，而不会对输出电平造成影响，但是，负载门输入端具有杂散电容，负载门数目的增加将使反向器的负载电容增加，从而影响反相器开关速度。
二、与非门1
三半加器：
