稳压二极管是利用PN结反向击穿特性所表现出的稳压性能制成的器件。稳压二极管也称齐纳二极管或反向击穿二极管，在电路中起稳定电压作用。它是利用二极管被反向击穿后，在一定反向电流范围内反向电压不随反向电流变化这一特点进行稳压的。稳压二极管通常由硅半导体材料采用合金法或扩散法制成。它既具有普通二极管的单向导电特性，又可工作于反向击穿状态。在反向电压较低时，稳压二极管截止；当反向电压达到一定数值时，反向电流突然增大，稳压二极管进入击穿区，此时即使反向电流在很大范围内变化时，稳压二极管两端的反向电压也能保持基本不变。但若反向电流增大到一定数值后，稳压二极管则会被彻底击穿而损坏。
稳压二极管根据其封装形式、电流容量、内部结构的不同可以分为多种类型。稳压二极管根据其封装形式可分为金属外壳封装稳压二极管、玻璃封装（简称玻封）稳压二极管和塑料封装（简称塑封）稳压二极管。塑封稳压二极管又分为有引线型和表面封装两种类型。
稳压管的主要参数有：①稳压值Z 。指当流过稳压管的电流为某一规定值时，稳压管两端的压降。②电压温度系数 。稳压管的稳压值Z的温度系数在Z低于4时为负温度系数值；当Z的值大于7时，其温度系数为正值；而Z的值在6左右时，其温度系数近似为零。目前低温度系数的稳压管是由两只稳压管反向串联而成，利用两只稳压管处于正反向工作状态时具有正、负不同的温度系数，可得到很好的温度补偿。③动态电阻rZ。表示稳压管稳压性能的优劣，一般工作电流越大，rZ越小。④允许功耗PZ。由稳压管允许达到的温升决定，小功率稳压管的PZ值为～mW,大功率的可达50W。⑤稳定电流IZ。测试稳压管参数时所加的电流。实际流过稳压管的电流低于IZ时仍能稳压，但rZ较大。
稳压管的最主要的用途是稳定电压。在要求精度不高、电流变化范围不大的情况下，可选与需要的稳压值最为接近的稳压管直接同负载并联。在稳压、稳流电源系统中一般作基准电源，也有在集成运放中作为直流电平平移。其存在的缺点是噪声系数较高，稳定性较差。
请问为什么会有反向电压？
不一样,BC结的反向击穿电压低的几十伏,高的数百伏,但有一点是一样的,就是NPN管的BE结反向击穿电压都是6V左右,因此NPN管的BE结可当6V稳压管用
补充：应该是所有硅材料管（PNP和NPN）的BE结都有反向击穿电压都是6V这特性，利用这特性可鉴别管子的C和E脚，用10K档分别测BC和BE的反向电阻，击穿的是BE结。
NPN三极管反向击穿电压问题
没有绝对的绝缘体，PN结处于反偏时，仍然会有少数载流子受热振动漂移，在电场作用下会形成电流，但是非常小，该参数受温度影响非常大，在不断加大反向电压情况下，会发生电击穿，此时二极管失去单向导电性。
在衡量二极管的性能时，反向电流越小越好。
一般来讲，一个PN结就构成一个所谓二极管，它有一个特性就是在加上正反向电压时的导通结果是不一样的。反向时电阻很大，当加到一定电压时就会击穿（瞬间电流很大），这个值就叫反向击穿电压。
一个硅二极管反向击穿电压为150伏,则其最高反向工作电压为
看来基础不轧实的人还是很多,可气的是不懂装懂还要来教别人,楼上有一位竟然说反向3v还会击穿发射结,真是误人子弟,罪不可恕
无论npn还是pnp,都是由二个类似于二极管组成的,此二个二极管正向电压都是07v,用指针万用表1-100都行,正向在中间,因表电池15v,反向不通,发射结与集电结区别在于反向击穿电压,10k档量,一面通一面不通是集电结,一面通一面在中间就是发射结,因为一般集电结反压都在20v(即管子的耐压)以上不等,而发射结反压全都是7-8v之间,而表电池10k档一般为15v,也有9v12v的,但都能反向击穿发射结,不用担心反向击穿会使之损坏,1mA以内的电流是不会造成永久损坏的,专业检测仪也是这样的,事实上发射结反接也是一个不错的稳压管,利用损坏的三极管的也行,最大电流=最大功耗除以8v,如小功率管一般是100mw,除以8v为125mA,实际上用在一半以内,3-6mA,所以你说的反向加3v是完全不导通的,你第二句话是错的,正向才是07v,加正向3v串51k(没有5k这规格)在发射结上{(3v-07v)/51k=043mA}得到的永远是它固有的07v,只有在它超过了集电极最大电流(Ie=Ib+Ic,Ib很小,忽略)才会损坏,还有,觉得你对"反向击穿电压"理解有问题,既然加了3v正压,怎么还问有无超过反向击穿电压哪来的反压别乱用"反向击穿"这句,事实上电路中这概念用得很少很少,而常用的是正向压降和耐压
这么说明白吗不懂再来
一般二极管的反向击穿电压叫做反向不重复峰值电压,它一般是反向重复峰值电压的12倍,最高反向工作电压一般是反向重复峰值电压的07倍
反向击穿电压为150伏,则其最高反向工作电压为875V
