场效应管及其放大电路
1．场效应管基本工作原理
场效应管的导电沟道是一个可变电阻。外加电压改变导电沟道的几何尺寸，以改变其漏源间电阻的大小，达到控制电流的目的。
场效应管内沟道的形成有两种情况，一种是器件制成后，管内有固定的导电沟道；另一种是依靠外加电压形成导电沟道。
对于管内有原始沟道的场效应管，当外加栅源电压等于夹断电压时，导电沟道消失，管子截止。而对于依靠外加(栅源)电压形成沟道的场效应管，当外加栅源电压达到开启电压时，导电沟道出现，管子由截止转入导通。
漏源电压对电流的控制作用，在两种不同的情况有明显区别。一种情况是靠近漏极有足够宽的沟道，这时漏极对电流的控制作用大；另一种情况是靠近漏极端的沟道消失，此时加大漏极电压，将使沟道消失的区域向源极端扩展。沟道电阻急剧增大，漏极电压对电流的控制作用显著减小，这种情况称为进入饱和区。进入饱和区的临界情况是，漏极与栅极之间的电压差等于夹断(对有原始沟道器件)或开启(对依靠外加电压形成沟道器件)电压。进入饱和区后，漏极电压对电流控制作用之所以减小，是因为漏源间电阻增大的程度较之未进入饱和区为大，和漏源电压增大电流的作用起抵消作用。
场效应管管内只有一种载流子(要么是带负电的电子，要么是带正电的空穴)导电，而以前介绍的晶体管有两种载流子导电。人们将有两种载流子导电的晶体管称为双极型晶体管，而场效应管又称为单极型晶体管。
2场效应管放大电路
（1）直流偏置电路
由于FET是电压控制器件，要求建立合适的直流偏置电压vGS。采用的方法主要有自偏压和分压式自偏压，前者适用于耗尽型FET，后者适用于各种类型的FET，应用较广。
（2）静态分析
可采用图解法和计算法。
（3）动态分析
FET的低频等效电路与双极型三极管相似，都可以用受控电流源等效，只是输入电阻rgs很大，通常作为开路处理。
场效应管（FET）路放大电路有共源极、共漏极和共栅极三种接法，对于每一种接法的电路，求解AV、Ri和Ro等放大性能指标的方法与双极型三极管放大电路类似。
场效应管是什么样的元件，在电路中有哪些功能？
其实场管和晶体三极管本质上相似，打个水管的比喻：都是用一个较小的动力来控制阀门，实现调节水管中水流量的目的。
只是BJT晶体管是用电流来驱动这个阀门（基极），实际上的效果就是：一个小的电流值就驱动了（或叫转换成）一个大的电流值。小电流和大电流之间的比值就是放大倍数。
场管用电压来驱动这个阀门（栅极），实际上的效果就是：一个小的电压值就驱动了（或叫转换成）一个大的电流值。小电压和大电流之间的比值就是放大倍数，场管里叫“跨导”单位叫“西门子”。
使用场管的优势就是：驱动主要靠电压，所以对驱动的电流要求低，换句话说就是输入阻抗高。它们特别适合大电流输出的场合，可以简化驱动电路。当然，由于场管栅极基本等效于电容，所以对具有较大结电容的大功率场管，对驱动电流还是有要求的，但是还是远小于同功率三极管的要求。
场效应晶体放大器主要有哪两种组态电路
场效应管是根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件
场效应晶体管简称场效应管由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管它属于电压控制型半导体器件
特点:
具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者
场效应管的作用
1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3、场效应管可以用作可变电阻。
4、场效应管可以方便地用作恒流源。
5、场效应管可以用作电子开关。
分为共基，共集，共射三种组态。放大电路里通常是晶体三极管、场效应管、集成运算放大器等，这些器件也称为有源器件。 共射放大电路。Vcc是集电极回路的直流电源，也是给放大电路提供能量的，一般在几伏到几十伏范围，以保证晶体三极管的发射结正向偏置、集电结反向偏置，使晶体三极管工作在放大区。Rc是集电极电阻，一般在几 K 至几十K 范围，它的作用是把集电极电流iC的变化变成集电极电压uCE的变化。VBB是基极回路的直流电源，使发射结处于正向偏置，同时通过基极电阻Rb提供给基极一个合适的基极电流IBQ， 使三极管工作在放大区中适当的区域，这个电流IBQ常称为基极偏置电流，它决定着三极管的工作点，基极偏置电流IBQ是由VBB和基极电阻Rb共同作用决定的，基极电阻Rb一般在几十KΩ至几百KΩ范围。 如在输入端加上一个较小的正弦信号ui , 通过电容C1加到三极管的基极，从而引起基极电流iB在原来直流IBQ的基础上作相应的变化，由于ui是正弦信号，使iB随ui也相应地按正弦规律变化，这时的iB 实际上是直流分流IBQ和交流分量ib迭加后的量。同时iB的变化使集电极电流 iC 随之变化，因此iC也是直流分量IC和交流分量ic的迭加，但iC要比iB大得多（即β倍）。电流iC在电阻RC上产生一个压降，集电极电压uCE =VCC－iCRL，这个集电极电压uCE 也是由直流分量IC和交流分量 iC两部分迭加的。这里的 uCE和 iC相位相反，即当 iC增大时, uCE减少。由于C2的隔直作用，使只有 uCE的交流分量通过电容C2作为放大电路的输出电压uO。如电路参数选择适当，uO要比 uI的幅值要大得多，同时 uI与 uO的相位正好相反。
