你说的不对~！
只要场强最大的地方达到击穿强度，整个电容就会被击穿，
因为内外两层都是导体，如果有一点被联通了，那么说明内球和外壳的最终会是等电势的，那么达到等电势的这个过程就是电容器放电的过程。
空气被击穿的意思是在强电场作用下空气被电离，成为等离子体，有很多很多载流子，电阻非常非常小，就好比你拿一个导线连接了电容器的内外两部分，这种情况下你觉得这个电容还没有被击穿吗？
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有问题联系我~！
求MOS管阈值电压，击穿电压，导通电阻计算公式
二极管在使用时，尤其是在整流等应用场合时,主要关注三个参数:
一个是正向导通压降,一个是正向导通后的最大电流,
还有一个就是反相击穿电压
发光二极管一般在电流有10个ma的时候就相当亮了
这里输入电压为24v，发光二极管导通压降约为07v
则限流电阻的阻值应该为：24-07/10ma=23k欧姆左右
因此推荐使用22k限流电阻即可。
二极管的特点是正向导通、反相截止。
即阳极电位比阴极电位高，则二极管相当于一根导线，会有电流流过，但是这个电流有一个极限值，该极限值即为正向导通电流
当二极管反相截止时，此时二极管相当于开关断开，但是这个反向电压并不能无限大，当反向电压不断加大时，会将二极管击穿，这个临界击穿电压值即为反相击穿电压。
MOS管阈值电压，击穿电压，以及饱和导通时的电阻等等，是有一套设计计算程式的，不过这些都是元件设计厂商做的，然后将这些参数转为生产流程的控制步骤。因此任何元件生产厂家只要按照这样的生产流程进行生产，就会得到参数近乎一致的元件来；
想必你不是做这方面的，那么要得到这些参数就只能去查看其手册了；
成品后，这些参数就是元件所固有的，当然，你也可以通过实验来取得，但是可就没有什么通用的计算公式；
