1、负载过重或有短路。
2、散热不好热击穿。
3、电压不稳定造成。
内阻为零的电源是理想电压源，理想电流源的内阻为无穷大。理想电压源不允许短路，因为内阻为零，输出电压恒定，如果短路电流会无穷大，功率无穷大。
理想电流源不允许开路，因为内阻无穷大，输出电流恒定，若开路输出电压无穷大，功率无穷大。
为什么mos管不能控制电源正极通断,只能控制电源负极通断
MOS管驱动上有个台阶是因为MOS管内的结电容引起的。这个就是所谓的开通损耗。
这个问题都是MOS管本身的问题。
要想驱动波形没有台阶，几乎是不可能的。
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MOS管在开关电路的作用
在图一，是个Nmos，只能S极接地。因为通过Vgs的电压来开关mos。S极接地则S极的电势是0V。
只需控制G极，即Vin1来控制这个Nmos。Vin1是高电平，则mos打开，Vin1是低电平，则mos关断。
在图二，是个Pmos，Vgs是个负值才能打开mos。现在s极接的是电源，也就是s极的电平是高电平。那么只需G极是0V ,mos 就会导通。G极是高电平时，mos关断。
综上所述，是Nmos的话，就S极接地。Pmos就S极接电源。都是给S极一个固定的电位。
上图都是很常见的 用法。
MOS管在开关电路的作用是信号的转换、控制电路的通断。
金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。
改变栅压可以改变沟道中的空穴密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。
N沟道的MOS管的电路中，BEEP引脚为高电平即可导通，蜂鸣器发出声音，低电平关闭蜂鸣器；P沟道的MOS管是用来控制GPS模块的电源通断，GPS_PWR引脚为低电平时导通，GPS模块正常供电，高电平时GPS模块断电。
扩展资料
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。
MOS场效应晶体管具有很高的输入阻抗，在电路中便于直接耦合，容易制成规模大的集成电路 。
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