由于LTPS的电子迁移率已经比a-Si高一个数量级 使门电路的集成为可能 但由于工艺的限制 会出现两个Mos源极漏极串联的型式 为的是防止域值电压Vth偏移造成的漏电流(截止不彻底) 使门级特性更好
当MOS驱动管串联时（与非门），要求各串联管导通时的总的等效电阻必须远小于负载管的等效电阻，否则输出低电平就会被抬高，为此要仔细设计每只串联管的尺寸，对制造工艺极为不利。而MOS驱动管并联时（或非门），只会减小总的导通电阻，对输出低电平有利。因此，MOS集成电路中常采用或非门。
请教下LTPS-LCD驱动电路中2个NMOS的gate连一起，S/D连在一起相比较单个NMOS驱动有什么好处呢？
核心提示由于LTPS的电子迁移率已经比a-Si高一个数量级 使门电路的集成为可能 但由于工艺的限制 会出现两个Mos源极漏极串联的型式 为的是防止域值电压Vth偏移造成的漏电流(截止不彻底) 使门级特性更好当MOS驱动管串联时（与非门），要求各串联
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