你这个图应该是达林顿管的内部原理图吧。
达林顿管因为直流放大倍数hFE特别高，=hfe1hfe2，一般为10000倍的级别。不加保护的情况下，很小的输入电流，就可以使内部晶体管结温迅速上升，前级晶体管的“漏电流”也会被逐级放大，造成整体热稳定性变差。图中72K和3K电阻就是为了克服这种不足而设计的，叫做均衡电阻，也就泄放电阻，可以泄放漏电流，大大提高管子的热稳定性，还能有效地提高末级功率三极管的耐压。
电阻值的大小要看内部晶体管的参数来设计，具体情况具体分析，在用该达林顿管来设计外围电路时，还要记得考虑这两个内部电阻的影响。
前面的27K的电阻， 我的观点是你理解为限流电阻，隔离电阻之类的都没错，具体要看你接入的外围电路。
达林顿管中的两个电阻具体什么作用怎么泄放电流？
达林顿管也称为复合管。 它串联连接两个晶体管以形成等效的新晶体管。 该等效三极管的放大倍数是原始两个三极管的乘积，因此具有高放大倍数的特征。
达林顿管的作用通常是在高灵敏度放大电路（例如大功率开关电路）中放大很小的信号。 在电子电路设计中，达林顿连接通常用于功率放大器和稳压电源。 达林顿管中的第一个晶体管在发射极跟随器模式下工作，以放大输入电流并增加输入阻抗。 这允许达林顿管由普通的TTL和CMOS门电路驱动。 为了使达林顿管饱和，输入电压须高于Vbe的两倍。 此外，当达林顿饱和时，其C和E之间的电压需要维持第一级三极管的工作电压，该电压也比普通三极管的饱和电压（约02V）高得多，通常更高要过065V。 在大电流下，该电压会更高，这会大大增加达林顿管在开-关状态下的功耗。
达林顿管的应用：
达林顿晶体管的基极足够灵敏，可以响应来自开关或直接来自TTL或5V CMOS逻辑门的全小输入电流。全达林顿对的大集电极电流Ic（max）与主开关晶体管TR 2的大集电极电流Ic（max）相同，因此可用于操作继电器，直流电动机，螺线管和灯等。
达林顿晶体管对的主要缺点之一是在完全饱和时基极和发射极之间的小压降。 完全导通时，饱和电压降在03v至07v之间时，与单个晶体管不同，达林顿器件的基极-发射极电压降是基极-发射极电压降的两倍，而基极-发射极电压则是基极-发射极电压的两倍。 极间的压降增加了一倍（12 V而不是06 V）。 两个单独的晶体管的基极-发射极二极管压降的总和，取决于通过晶体管的电流，可以在06v至15v之间。
对于给定的负载电流，这种高的基极-发射极压降意味着达林顿晶体管会比普通的双极晶体管变热，因此需要良好的散热性。而且，达林顿晶体管具有较慢的开-关响应时间，因为从晶体管TR1将主晶体管TR2完全导通或完全截止所花费的时间更长。
我用达林顿管TIP122和TIP127做otl功放电路，输入的是5V电压，由于最后我要的输出功率比较小
不好意思有蛮久没逛百度空间了。说详细点吧，所谓的漏电流是行业术语，其实就是教科书上说的反向饱和电流Iceo和Iebo，Iceo又叫穿透电流。Iceo与温度成正比。管子通过电流，会逐渐开始发热，电流关系式IC=βIb+Iceo，Iceo=（1+β）Iebo；可见，如果不采取措施，则随着温度升高，ICEO升高，IC也迅速升高，使管子更加发热严重，进入恶性循环，最终可能烧坏管子。加上R1，R2后，会把漏电流通过电阻流到E级去(因为rbe>>R1，R2)，最后经外围电路流入大地。;这样就V1射级出来的漏电流不会被继续放大，也就稳定了Ic，所以热稳定性得到提高。这样说明白了吧
行的,完全可以代替,不过由于导通电压比三极管高很多,在20v电源电压以下的很少采用,在电压高的电路中采用时,可以在激励级的中点处调静态电流的那个三极管电路上修改上下两个电阻值(一般是减小下面的阻值)来应对,不过由于mos管的栅极结电容较大,为保证工作频率能达到音频的上限,输入电流不能太小,也就是要象用大功率三极管一样要复合一个小功率三极管,不然会使高音受限和瞬态响应变差,而达林顿管本来就是一大一小的复合管,换mos后要加二个小功率互补对管才行还有,mos管虽然允许电流很大,噪声小、功耗低、动态范围大、负温度系数,没有二次击穿现象等优点,但导通电阻也很大,比三极管大很多,所以不能象三极管一样用到极限附近,一般mos管都工作在该管的1/10最大电流以下
