理想二极管的正向压降就是死区电压都为0
但是在实际应用的二极管中
硅二极管的死区电压为05V，正向压降为06~07V
锗管的死区电压约01V，正向压降为02~03V
锗二极管的导通电压是多少？
三极管死区电压是指三极管在有截止状态转向放大状态时的电压Ube，一般硅管为05V，锗管是01V；而导通电压是指三极管处于放大状态时的电压Ube，一般硅管为06~07V，锗管是02~03V。
锗二极管导通电压为01V-03V,一般取02V,死区电压为01V左右。对于锗二极管 ，开启电压为02V，导通电压UD约为03V。锗二极管就是用锗材料制作的二极管。几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路中起着重要的作用,它是诞生最早的半导体器件之一,其应用也非常广泛。
锗二极管与硅二极管差别：
1 硅二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多，锗管为mA级，硅管为nA级。这是因为在相同温度下锗的ni比硅的ni要高出约三个数量级，所以在相同掺杂浓度下硅的少子浓度比锗的少子浓度低的多，故硅管的反向饱和电流很小。
2在正向电压很小时，通过二极管的电流很小，只有正向电压达到某一数值Ur后，电流才明显增长。通常把电压Ur称为二极管的门限电压，也称为死区电压或阈值电压。由于硅二极管的Is远小于锗二极管的Is，所以硅二极管的门限电压大于锗二极管的门限电压。一般硅二极管的门限电压约为05V~06V， 锗二极管的门限电压约为01V~02V。
