1,耦合,有联系的意思x0d2,耦合元件,尤其是指使输入输出产生联系的元件x0d3,去耦合元件,指消除信号联系的元件x0d4,去耦合电容简称去耦电容x0d5,例如,晶体管放大器发射极有一个自给偏压电阻,它同时又使信号产生压降反馈到输入端形成了输入输出信号耦合,这个电阻就是产生了耦合的元件,如果在这个电阻两端并联一个电容,由于适当容量的电容器对交流信号较小的阻抗(这需要计算)这样就减小了电阻产生的耦合效应,故称此电容为去耦电容x0d从电路来说,总是存在驱动的源和被驱动的负载如果负载电容比较大,驱动电路要把电容充电、放电,才能完成信号的跳变,在上升沿比较陡峭的时候,电流比较大,这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流,由于电路中的电感,电阻(特别是芯片管脚上的电感,会产生反弹),这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声,会影响前级的正常工作这就是耦合x0d去藕电容就是起到一个电池的作用,满足驱动电路电流的变化,避免相互间的耦合干扰x0d旁路电容实际也是去藕合的,只是旁路电容一般是指高频旁路,也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径高频旁路电容一般比较小,根据谐振频率一般是01u,001u等,而去耦合电容一般比较大,是10u或者更大,依据电路中分布参数,以及驱动电流的变化大小来确定x0d去耦和旁路都可以看作滤波正如ppxp所说,去耦电容相当于电池,避免由于电流的突变而使电压下降,相当于滤纹波具体容值可以根据电流的大小、期望的纹波大小、作用时间的大小来计算去耦电容一般都很大,对更高频率的噪声,基本无效旁路电容就是针对高频来的,也就是利用了电容的频率阻抗特性电容一般都可以看成一个RLC串联模型在某个频率,会发生谐振,此时电容的阻抗就等于其ESR如果看电容的频率阻抗曲线图,就会发现一般都是一个V形的曲线具体曲线与电容的介质有关,所以选择旁路电容还要考虑电容的介质,一个比较保险的方法就是多并几个电容x0d去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用:一方面是本集成电路的蓄能电容,另一方面旁路掉该器件的高频噪声数字电路中典型的去耦电容值是01μF这个电容的分布电感的典型值是5μH01μF的去耦电容有5μH的分布电感,它的并行共振频率大约在7MHz左右,也就是说,对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果,对40MHz以上的噪声几乎不起作用1μF、10μF的电容,并行共振频率在20MHz以上,去除高频噪声的效果要好一些每10片左右集成电路要加一片充放电电容,或1个蓄能电容,可选10μF左右最好不用电解电容,电解电容是两层薄膜卷起来的,这种卷起来的结构在高频时表现为电感要使用钽电容或聚碳酸酯电容去耦电容的选用并不严格,可按C=1/F,即10MHz取01μF,100MHz取001μFx0d还是要补充一点x0d旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象,而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象,防止干扰信号返回电源这应该是他们的本质区别,不知道前面诸位仁兄为何不提这个x0d所谓“去耦”的得名,前面已经说的非常清楚;x0d所谓“旁路”,就是给高频噪声一条低阻的释放途径有点马其诺防线的意思
一个独立的电路图，一个电容加一个。。。应该也是电容，然后接地接电源是什么意思
耦合指信号由第一级向第二级传递的过程，一般不加注明时往往是指交流耦合。退耦是指
对电源采取进一步的滤波措施，去除两级间信号通过电源互相干扰的影响。耦合常数是指
耦合电容值与第二级输入阻抗值乘积对应的时间常数。
退耦有三个目的：1将电源中的高频纹波去除，将多级放大器的高频信号通过电源相互串
扰的通路切断；2大信号工作时，电路对电源需求加大，引起电源波动，通过退耦降低大
信号时电源波动对输入级/高电压增益级的影响；3形成悬浮地或是悬浮电源，在复杂的系
统中完成各部分地线或是电源的协调匹
有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播。去耦电容的主要功能就是提供一个局部的直流电源给有源器件，以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地。
摘引自伦德全《电路板级的电磁兼容设计》一文，该论文对噪声耦和路径、去耦电容和旁路电容的使用都讲得不错。请参阅。
干扰的耦合方式
干扰源产生的干扰信号是通过一定的耦合通道对电控系统发生电磁干扰作用的。干扰的耦合方式无非是通过导线、空间、公共线等作用在电控系统上。分析下来主要有以下几种。
直接耦合：这是干扰侵入最直接的方式，也是系统中存在最普遍的一种方式。如干扰信号通过导线直接侵入系统而造成对系统的干扰。对这种耦合方式，可采用滤波去耦的方法有效地抑制电磁干扰信号的传入。
公共阻抗耦合：这也是常见的一种耦合方式。常发生在两个电路的电流有共同通路的情况。公共阻抗耦合有公共地和电源阻抗两种。防止这种耦合应使耦合阻抗趋近于零、使干扰源和被干扰对象间没有公共阻抗。
电容耦合：又称电场耦合或静电耦合，是由于分布电容的存在而产生的一种耦合方式。
电磁感应耦合：又称磁场耦合。是由于内部或外部空间电磁场感应的一种耦合方式，防止这种耦合的常用方法是对容易受干扰的器件或电路加以屏蔽。
辐射耦合：电磁场的辐射也会造成干扰耦合，是一种无规则的干扰。这种干扰很容易通过电源线传到系统中去。另当信号传输线较长时，它们能辐射干扰波和接收干扰波，称为大线效应。
漏电耦合：所谓漏电耦合就是电阻性耦合。这种干扰常在绝缘降低时发生。
记得以前我的观点是：去藕电容一般容量比较大，也就是避免噪声耦合到其他部分的意思；旁路电容容量小，提供低阻抗的噪声回流路径。
其实这种说法也可以算没有什么大错误。但是经过偶查阅了相关资料，才发现其实decouple和bypass从根本上来说没有任何区别，两者在称谓上可以互换。两者的作用低俗一点说：当电源用。所谓噪声其实
就是电源的波动，电源波动来自于两个方面：电源本身的波动，负载对电流需求变化和电源系统相应能力的差别带来的电压波动。而去藕和旁路电容都是相对负载变化引起的噪声来说。所以他们两个没有必要做
区分。而且实际上电容值的大小，数量也是有理论根据可循的，如果随意选择，可能会在某些情况下遇到去藕电容（旁路）和分布参数发生自激振荡的情况。所以真正意义上的去藕和旁路都是根据负载和供电系
统的实际情况来说的。没有必要去做区分，也没有本质区别。
电容是板卡设计中必用的元件，其品质的好坏已经成为我们判断板卡质量的一个很重要的方面。
①电容的功能和表示方法。
由两个金属极，中间夹有绝缘介质构成。电容的特性主要是隔直流通交流，因此多用于级间耦合、滤波、去耦、旁路及信号调谐。电容在电路中用“C”加数字表示，比如C8，表示在电路中编号为8的电容。
②电容的分类。
电容按介质不同分为：气体介质电容，液体介质电容，无机固体介质电容，有机固体介质电容电解电容。按极性分为：有极性电容和无极性电容。按结构可分为：固定电容，可变电容，微调电容。
③电容的容量。
电容容量表示能贮存电能的大小。电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，容抗与交流信号的频率和电容量有关，容抗XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率，C表示电容容量)。
④电容的容量单位和耐压。
电容的基本单位是F（法），其它单位还有：毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）。由于单位F 的容量太大，所以我们看到的一般都是μF、nF、pF的单位。换算关系：1F＝1000000μF，1μF=1000nF=1000000pF。
每一个电容都有它的耐压值，用V表示。一般无极电容的标称耐压值比较高有：63V、100V、160V、250V、400V、600V、1000V等。有极电容的耐压相对比较低，一般标称耐压值有：4V、63V、10V、16V、25V、35V、50V、63V、80V、100V、220V、400V等。
⑤电容的标注方法和容量误差。
电容的标注方法分为：直标法、色标法和数标法。对于体积比较大的电容，多采用直标法。如果是0005，表示0005uF=5nF。如果是5n，那就表示的是5nF。
数标法：一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是10的多少次方。如：102表示10x10x10 PF=1000PF，203表示20x10x10x10 PF。
色标法，沿电容引线方向，用不同的颜色表示不同的数字，第一、二种环表示电容量，第三种颜色表示有效数字后零的个数（单位为pF）。颜色代表的数值为：黑=0、棕=1、红=2、橙=3、黄=4、绿=5、蓝=6、紫=7、灰=8、白=9。
电容容量误差用符号F、G、J、K、L、M来表示，允许误差分别对应为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%、±20%。
⑥电容的正负极区分和测量。
电容上面有标志的黑块为负极。在PCB上电容位置上有两个半圆，涂颜色的半圆对应的引脚为负极。也有用引脚长短来区别正负极长脚为正，短脚为负。
当我们不知道电容的正负极时，可以用万用表来测量。电容两极之间的介质并不是绝对的绝缘体，它的电阻也不是无限大，而是一个有限的数值，一般在1000兆欧以上。电容两极之间的电阻叫做绝缘电阻或漏电电阻。只有电解电容的正极接电源正（电阻挡时的黑表笔），负端接电源负（电阻挡时的红表笔）时，电解电容的漏电流才小（漏电阻大）。反之，则电解电容的漏电流增加（漏电阻减小）。这样，我们先假定某极为“+”极，万用表选用R100或R1K挡，然后将假定的“+”极与万用表的黑表笔相接，另一电极与万用表的红表笔相接，记下表针停止的刻度（表针靠左阻值大），对于数字万用表来说可以直接读出读数。然后将电容放电（两根引线碰一下），然后两只表笔对调，重新进行测量。两次测量中，表针最后停留的位置靠左（或阻值大）的那次，黑表笔接的就是电解电容的正极。
⑦电容使用的一些经验及来四个误区。
一些经验：在电路中不能确定线路的极性时，建议使用无极电解电容。通过电解电容的纹波电流不能超过其充许范围。如超过了规定值，需选用耐大纹波电流的电容。电容的工作电压不能超过其额定电压。在进行电容的焊接的时候，电烙铁应与电容的塑料外壳保持一定的距离，以防止过热造成塑料套管破裂。并且焊接时间不应超过10秒，焊接温度不应超过260摄氏度。
四个误区：
●电容容量越大越好。
很多人在电容的替换中往往爱用大容量的电容。我们知道虽然电容越大，为IC提供的电流补偿的能力越强。且不说电容容量的增大带来的体积变大，增加成本的同时还影响空气流动和散热。关键在于电容上存在寄生电感，电容放电回路会在某个频点上发生谐振。在谐振点，电容的阻抗小。因此放电回路的阻抗最小，补充能量的效果也最好。但当频率超过谐振点时，放电回路的阻抗开始增加，电容提供电流能力便开始下降。电容的容值越大，谐振频率越低，电容能有效补偿电流的频率范围也越小。从保证电容提供高频电流的能力的角度来说，电容越大越好的观点是错误的，一般的电路设计中都有一个参考值的。
●同样容量的电容，并联越多的小电容越好，
耐压值、耐温值、容值、ESR(等效电阻)等是电容的几个重要参数，对于ESR自然是越低越好。ESR与电容的容量、频率、电压、温度等都有关系。当电压固定时候，容量越大，ESR越低。在板卡设计中采用多个小电容并连多是出与PCB空间的限制，这样有的人就认为，越多的并联小电阻，ESR越低，效果越好。理论上是如此，但是要考虑到电容接脚焊点的阻抗，采用多个小电容并联，效果并不一定突出。
●ESR越低，效果越好。
结合我们上面的提高的供电电路来说，对于输入电容来说，输入电容的容量要大一点。相对容量的要求，对ESR的要求可以适当的降低。因为输入电容主要是耐压，其次是吸收MOSFET的开关脉冲。对于输出电容来说，耐压的要求和容量可以适当的降低一点。ESR的要求则高一点，因为这里要保证的是足够的电流通过量。但这里要注意的是ESR并不是越低越好，低ESR电容会引起开关电路振荡。而消振电路复杂同时会导致成本的增加。板卡设计中，这里一般有一个参考值，此作为元件选用参数，避免消振电路而导致成本的增加。
●好电容代表着高品质。
“唯电容论”曾经盛极一时，一些厂商和媒体也刻意的把这个事情做成一个卖点。在板卡设计中，电路设计水平是关键。和有的厂商可以用两相供电做出比一些厂商采用四相供电更稳定的产品一样，一味的采用高价电容，不一定能做出好产品。衡量一个产品，一定要全方位多角度的去考虑，切不可把电容的作用有意无意的夸大
power supply decoupling什么意思
这是典型的电源滤波电路。给点简单解释：
假设VCC是5V，来自电源芯片（例如来自7805电源芯片），电源芯片和IC（集成电路）之间的有一段导线，导线会有电阻和电感，导线越长、或越细，则电阻和电感就越大。有时可能是毫欧级，有时大一些。电阻和电感的存在，则从电源到芯片之间的压降就会存在，是否严重，要看负载电流的大小是多少。给个计算的例子，假设这个电阻是01欧姆。集成电路电流有时大，有时小，脉冲工作，这是有可能的。大时假设5A，小时是01A，这样，到大集成电路跟前的电压就不是5V，是在45V至495V之间波动。这就要用到电容，电流大时，电容放电。考虑到可能有快速变化，也可能有慢速变化，用两个不同的电容来充放电。由于大的电解电容用比较长的金属薄膜绕起来的，有比较大的电感。对高频充放电不利（相当于电容上又串联一个电感），这里再加个104（01uF）电容，是高频滤波用。看起来简单，要理解原理。
cc2530的引脚描述
power supply decoupling
电源去耦
1
What kind of resistors do you recommend for power supply decoupling use
电源的去耦电阻你推荐使用哪一种类型比较好呢？
2
A decoupling capacitor is omitted in the power supply structure of the memory, and the area of the structure is reduced 跟读
本发明的存储器的供电结构省去一个去耦电容，减小了该结构的面积。
去耦电容怎么接地端如何处理
引脚名称 引脚 引脚类型 描述
AVDD1 28 电源（模拟） 2-V–36-V 模拟电源连接
AVDD2 27 电源（模拟） 2-V–36-V 模拟电源连接
AVDD3 24 电源（模拟） 2-V–36-V 模拟电源连接
AVDD4 29 电源（模拟） 2-V–36-V 模拟电源连接
AVDD5 21 电源（模拟） 2-V–36-V 模拟电源连接
AVDD6 31 电源（模拟） 2-V–36-V 模拟电源连接
DCOUPL 40 电源（数字） 18V 数字电源去耦。不使用外部电路供应。
DVDD1 39 电源（数字） 2-V–5-V 数字电源连接
DVDD2 10 电源（数字） 2-V–5-V 数字电源连接
GND - 接地 接地衬垫必须连接到一个坚固的接地面。
GND 1，2，3，4 未使用的引脚 连接到GND
P0_0 19 数字I/O 端口00
P0_1 18 数字I/O 端口01
P0_2 17 数字I/O 端口02
P0_3 16 数字I/O 端口03
P0_4 15 数字I/O 端口04
P0_5 14 数字I/O 端口05
P0_6 13 数字I/O 端口06
P0_7 12 数字I/O 端口07
P1_0 11 数字I/O 端口10-20-mA 驱动能力
P1_1 9 数字I/O 端口11-20-mA 驱动能力
P1_2 8 数字I/O 端口12
P1_3 7 数字I/O 端口13
P1_4 6 数字I/O 端口14
P1_5 5 数字I/O 端口15
P1_6 38 数字I/O 端口16
P1_7 37 数字I/O 端口17
P2_0 36 数字I/O 端口20
P2_1 35 数字I/O 端口21
P2_2 34 数字I/O 端口22
P2_3 33 数字I/O 模拟端口23/32768 kHz XOSC
P2_4 32 数字I/O 模拟端口24/32768 kHz XOSC
RBIAS 30 模拟I/O 参考电流的外部精密偏置电阻
RESET_N 20 数字输入 复位，活动到低电平
RF_N 26 RF I/O RX 期间负RF 输入信号到LNA
RF_P 25 RF I/O RX 期间正RF 输入信号到LNA
XOSC_Q1 22 模拟I/O 32-MHz 晶振引脚1或外部时钟输入
XOSC_Q2 23 模拟I/O 32-MHz 晶振引脚2
5v直流电源去耦电容选择
去耦电容的配置
去耦电容不是一般称的滤波电容,滤波电容指电源系统用的,去藕电容则是分布在器件附近或子电路处主要用于对付器件自身或外源性噪声的特殊滤波电容,故有特称——去耦电容,去耦指“去除(噪声)耦合”之意
1、去耦电容的一般配置原则
电源输入端跨接一个10~100uF的电解电容器,如果印制电路板的位置允许,采用100uF以上的电解电容器的抗干扰效果会更好
为每个集成电路芯片配置一个001uF的陶瓷电容器如遇到印制电路板空间小而装不下时,可每4~10个芯片配置一个1~10uF钽电解电容器,这种器件的高频阻抗特别小,在500kHz~20MHz范围内阻抗小于1Ω,而且漏电流很小(05uA以下)
对于噪声能力弱、关断时电流变化大的器件和ROM、RAM等存储型器件,应在芯片的电源线(Vcc)和地线(GND)间直接接入去耦电容
去耦电容的引线不能过长,特别是高频旁路电容不能带引线
在印制板中有接触器、继电器、按钮等元件时．操作它们时均会产生较大火花放电,必须RC 电路来吸收放电电流一般 R 取 1 ~ 2K,C取22 ~ 47UF
CMOS的输入阻抗很高,且易受感应,因此在使用时对不用端要接地或接正电源
设计时应确定使用高频低频中频三种去耦电容,中频与低频去耦电容可根据器件与PCB功耗决定,可分别选47-1000uF和470-3300uF;高频电容计算为: C=P/VVF
每个集成电路一个去耦电容每个电解电容边上都要加一个小的高频旁路电容
用大容量的钽电容或聚酷电容而不用电解电容作电路充放电储能电容使用管状电时,外壳要接地
什么是去耦电容？什么是旁路电容？什么是锁相环电路
5V直流电源的电容的大小如何选择具体的计算展开
兆月桃yy
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滤波电容的选择须要考虑二个方面,一是电容的耐压值选择,二是电容容量的选择
电容耐压值：考虑到交流电的电压峰值和电容的安全使用系数,一般耐压值选大于2倍的交流电压值
电容容量：依据电源的额定电流值和电容充电系数,我们就根据下式取值
C=I10^4/U (UF)
I——额定电流
U——电源电压
答：首先去耦电容又被称为退耦电容，它在电路中通常装设在元件的电源端，可以用来滤除高频噪声，使电压能够稳定干净，间接可以减少其他元件受此元件噪声的影响。
什么是旁路电容？
旁路电容是可将混有高频电流和低频电流的交流电中的高频成分旁路滤掉的电容。 对于同一个电路来说，旁路（bypass）电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除，而去耦（decoupling，也称退耦）电容是把输出信号的干扰作为滤除对象。
在电子电路中，去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用，因为电容所处的位置不同，称呼就不一样了。
