mos管电路放大倍数很大可以采用两级放大的方法办。mos管电路中当放大倍数较大时，电路可能不稳定，可以采用两级放大，并在级间采用电容耦合电路，这样就可以降低mos管电路放大倍数了，所以mos管电路放大倍数很大可以采用两级放大的方法办。
试解释mos管具有电压放大作用的基本原理？
这个问题很大，简单说几点吧。
1、双极型晶体管与单极型晶体管（MOS管是其中一种）放大器的输入电阻差别很大，后者比前者要高好几个数量级。前者在放大时需要比较大的偏置电流，而后者对偏置电流的要求较低。因此，单极型晶体管电路特别适合对输出电阻很大的信号源的输出信号放大，比如无线麦克风里面，大量使用以单极型晶体管为输入端的放大电路。
2、从放大倍数来看，双极型晶体管组成的放大电路占优势，放大倍数大对于后期引入负反馈也比较有利。
3、如果你放大的是音频这种对频率响应要求很高的信号，最好使用双极型晶体管，因为它的声音听起来比较自然，单极型晶体管的频率响应要比双极型晶体管差一些，有点重金属效果，用它来听轻音乐什么就太什么了。
4、在使用中，如果输出电流很大，最好使用单极型晶体管，因为它有一种自我保护的特点，即电流增大、温度升高后，D-S之间的通态电阻会增大，这样就会限制漏源电流，达到一种热保护的效果。而晶体管的特点刚好相反，温度升高后，集电极电流更大。以前我的老师就说过，同样一个电路，如果晶体管烫得连手都捏不住了，三极管往往撑不了30秒，而MOS管也许工作得还好好的。
mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
定义
双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧（N沟道耗尽型MOS管）。而P沟道常见的为低压Mos管。
场效应管的名字也来源于它的输入端（称为gate）通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。
无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。
