光电耦合器用得太多，是时候总结一下了。仅以个人应用为出发点。
一、光耦分类
分两类：非线性光耦和线性光耦。
非线性光耦：适合于开关信号的传输（高低电平），不适合于传输模拟量。实际中常用。
线性光耦：以线性特性进行隔离控制。
二、光耦参数
查阅datasheet时的重点关注对象。
1输入特性参数＜＝＞前端发光二极管参数
(1) （正向工作电压Forward Voltage）:正常工作时，二极管压降。
(2) （正向工作电流Forward Current）:正常工作时，发光二极管电流。
2输出特性参数＜＝＞后端光敏三极管参数
(1) （集电极电流Collector Current）:三极管集电极电流。
(2) （集电极-发射极电压 C-E Voltage）:集电极-发射极两端电压。
(3) （C-E饱和电压 C-E Saturation Voltage）:二极管工作电流 和集电极电流 为规定值时，并保持 时（ 在被测管技术条件中规定）集电极与发射极之间的压降。
3传输特性＜＝＞输入端与输出端关系（电流）
(1)电流传输比 CTR （Current Transfer Radio）
输出管的工作电压为规定值时，输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比 CTR 。在datasheet中该值有最小值。
三、常用电路设计
以非线性应用，即开关量控制应用为例。
1常用电路原理图
图中， 电阻的位置可在三极管的C端或者E端。
在E端：如图示，表示 默认低电平，高电平为有效电平；
在C端： 在 后端或下端，表示 默认高电平，低电平为有效电平。
2设计约束
通过查阅datasheet，确定上述重要参数后，设计输入输出端负载值的大小。
(1)
(2)光敏三极管工作于饱和区。
由上可推导公式：
式(1)
式(2)
两个式子中，除 外，其他为已知量或通过datasheet查阅到， 一般为04~07V， 一般为12V， CTR 一般为50%~600%， 一般为4mA~20mA。
式(1)可推导出两电阻之间比值关系，式(2)可得电阻数量级范围。
注： 通常会有典型值、测试值和最大值，通常选用测试值和典型值。前端设计时，注意防止误导通。
四、 CTR 的影响因素
一般，datasheet中会指出CTR的最小值及范围等，如果未指出，则需要查阅datasheet中的相关曲线图表。一般有以下影响因素：
1光耦本身离散性;
2温度影响：工作温度越高，CTR值越小；
3原边电流IF影响：前向电流越大，CTR值越小；
4Vce的影响：Vce必须大于一定电压（饱和电压刚刚好），Ic才能达到最大，CTR值才会大；
5寿命影响：工作时间越长，CTR值越小。
五、工作在饱和区理解
以三极管输出特性曲线讲解：
从图中看出，当前端电流 确定下来的时候，后端输出电流 是具有最大值的（平行于横轴）。通俗点来理解：当前端电流固定时，传送给后端电流的能力是有限的，这个能力的学术名称就是CTR（电流传输比），CTR大就表示传输能力强，能驱动得起后端。
假设后端想要更大电流，但是光耦给不起了，在电阻RL一定的情况下，后端只能增大Vce的值，使实际的输出电流Ic维持在其能够提供的最大值。从图中来看就是，给我的 就只有这么大，我自己也只有这么大的能力，你想要更多，对不起我给不起，反正进入线性区之后， 最大就这么大了， 倒是想要多大就能变多大，我就通过改变 来维持住我 的最大值呗！
总之，你想要大电流，要么增大 ，要么换CTR大的光耦，或者按照设计约束重新设计两端电阻。你这个设计本身就不合理。
六、举例分析
例如图1中的光耦电路，假设 Ri = 1k,Ro = 1k,光耦CTR= 50%，光耦导通时假设二极管压降为16V，副边三极管饱和导通压降Vce=04V。输入信号Vi是5V的方波，输出Vcc是33V。Vout能得到33V的方波吗？
我们来算算：
If = (Vi-16V)/Ri = 34mA
副边的电流限制：Ic’≤ CTRIf = 17mA
假设副边要饱和导通，那么需要Ic’= (33V – 04V)/1k = 29mA，大于电流通道限制，所以导通时，Ic会被光耦限制到17mA， Vout = Ro17mA = 17V
所以副边得到的是17V的方波。
为什么得不到33V的方波，可以理解为图1光耦电路的电流驱动能力小，只能驱动17mA的电流，所以光耦会增大副边三极管的导通压降 来限制副边的电流到17mA。
解决措施：增大If；增大CTR；减小Ic。
对应措施为：减小Ri阻值；更换大CTR光耦；增大Ro阻值。
将上述参数稍加优化，假设增大Ri到200欧姆，其他一切条件都不变，Vout能得到33V的方波吗？
重新计算：If = (Vi – 16V)/Ri = 17mA；副边电流限制Ic’
≤ CTRIf = 85mA，远大于副边饱和导通需要的电流(29mA)，所以实际Ic = 29mA。
所以，更改Ri后，Vout输出33V的方波。
开关状态的光耦，实际计算时，一般将电路能正常工作需要的最大Ic与原边能提供的最小If之间 Ic/If的比值与光耦的CTR参数做比较，如果Ic/If ≤CTR，说明光耦能可靠导通。一般会预留一点余量（建议小于CTR的90%）。
以上六点即为对光耦简单应用的总结。
参考：
光耦选型最全指南及各种参数说明 - 百度文库
光耦驱动电路原理
12脚串500欧左右的电阻；
3脚接+24v，4脚接10k电阻到地，在4脚上可获得22-23v的电压。
如果你要精确的24v，3脚接+28-30v，同时在4脚到地的10k电阻上并联一个24v的稳压管。
用光耦PC817 如何设计12脚加直流5V电源，需要串个多大的电阻，34脚要输出直流5V电压，如何设计电路。
光耦驱动电路原理：电流通过5V电源，送低电平到发光二极管，因为有电流通过而发光，电阻R2，T1就导通，T1的E和C，到地，光耦的发光二极管，电源VCC通过R3，到地，致使三极管接收端导通。
光耦合器亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。它是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器（红外线发光二极管LED）与受光器（光敏半导体管）封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接受光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电—光—电”转换。
在电子电路设计时，如果想用光耦代替继电器，应该注意什么？
楼上那位你好像在胡说八道啊！！你是老师的话，就是误人子弟啊。PC817的发光二极管是11V左右的。如果5V驱动，只串几欧姆的电阻，这个光耦马上烧掉发光管。还说老师呢。。。无言
PC817用5mA驱动，在电源到光耦1脚串入470~1K的电阻都可以。
34脚这边，最大驱动能力50mA如果够得话，直接集电极接5V，发射极接输出。用在单片机等可以。
如果要带比较重的负载。请加功率管放大，可以加个MOS管，用SI4410就很好，电流达到3A都没问题。。 。
用光耦和三极管简单设计一个电路图控制220V的通断图这样画可以实现吗？求大神指点～
1、光耦本身允许电流较小，就在光耦输出加装驱动晶体管，用晶体管集电极开路输出。
2、继电器在低压运用时不用考虑电压问题，用光耦时必须考虑输出晶体管的耐压与集电极最大电流。
3、光耦输出只能用于直流电路，禁止用于有交流电流或电压存在的情况。
4、晶体管输出有漏电流存在，当用于对漏电流很敏感的情况时不能使用
不行。
三极管做电子开关只能单向导电，市电是交流电，必须用继电器或者双向可控硅做开关。
上图是网络搜索到的一个例子。可控硅容易被击穿损坏，尤其是自制的电路。一般应用还是继电器可靠。或者购买固态继电器。
固态继电器_
http://baikebaiducom/subview/267413/267413htm
