三极管饱和时的确是基极电压高于其它两个极，三极管主要是电流控制原件，基极电流控制集电极电流，当基极电流增大时，集电极电流也快速增大，那么集电极上的电阻降压也越大，集电极电流过大，集电极上的电阻降压过大时，最终导致集电极电压低于基极，就是我们所说的饱和电通。集电极接的是电源电压，电压几乎全部降在了电阻上。基极电压是低于电阻（负载）电压的。因此就不能说：“直接把基极电压直接供给负载”。基极电压只起控制作用。
问题补充回答：三极管工作在饱和状态，首先是否由放大状态进入饱和状态的。单片机输出5V电平也就是要给基极足够大的电流，使三极管快速进入饱和状态。
下图的三极管在饱和状态下，a点和b点的电压分别是多少？
饱和与否只看电压，只要电压低于三极管输出特性曲线的饱和线，就算是饱和。
但是如何做到这一点，却与晶体管的电流有关，如果没有足够的基极电流，是不会进入输出曲线的这个区域的。
小功率硅三极管的饱和压降为什么是03v？有人能解释清楚吗
在饱和状态下：
第一个图中，b点电压接近于零或小于零，a点电压比b点电压高07V。
第二个图中，b点电压大于07V，a点电压接近于b点电压或低于b点电压。
具体数值要看三极管的饱和电压Vces，而不同三极管的Vces不同，同时Vces与饱和电流的大小有关。
三极管处在饱和状态时,三个极上的电压大小顺序是
三极管在饱和状态的压降是跟它的饱和深度及集电极电流的大小有关。一般驱动电流Ib越大，管子饱和越深（在一定范围内），其饱和压降越小；在相同的Ib下，集电极电流越小，管子的饱和压降也越小。
三极管在饱和状态时，集电极压降未必是03V，而是集电极电流的函数，电流越小，电压越低，最低可以达到mV数量级，电流大时达到几伏也是可能。因为饱和时也是有内阻的，尽管它未必线性变化。
小功率三极管的饱和压降还和管子的材质有关，分硅和锗两种；NPN型硅管的饱和压降Vce为03~04V之间，锗管的饱和压降为02~03V；另外饱和还分临界饱和、饱和、深度饱和，且上述3种情况下Vce有差别。当Vce=Vbe=07V时为临界饱和。
扩展资料：
常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，
底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。
国内各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的排列不尽相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。
-三极管
一般来说，按照教科书式的饱和状态推导出来的，即发射结和集电结都正偏。NPN管，UB>UC>UE；PNP管，UB<UC<UE。
实际上，饱和与否关键看IB的大小，如果满足大于临界饱和电流就进入饱和状态了，此时也很有可能依然是UC>UB>UE（UE=0V，UB=07V，UC=1V，满足UCE=1V，刚好饱和，NPN管）。
所以归纳一下，饱和状态时，三电极上的电压顺序不是一种固定情况，唯一可以确定的是UB>UE（NPN）和UE>UB（PNP）
