当一聚焦的激光短脉冲入射到沉积在介质基片(兰宝石, 石英、硼硅酸玻璃) 上的铂或钨薄片上时, 观察到横向电压。鉴别出这种没有预料到的电压是一种热电效应引起的, 它之所以在薄膜中发生是因为最可能由薄膜内应力引起的绝对热电功率( 塞贝克系数) 不再是各向同性的了。在脉宽不变时发现, 电压与入射激光功率成正比, 稍微取决于基质材料, 而与光束的偏振无关。
在所研究的范围内（500 ~ 2700埃) , 与薄膜厚度的关系主要和有效厚度有关, 而这种有效厚度具有与薄膜平面垂直的瞬时温度梯度。薄膜响应时间取决于激光脉宽。对于5 毫微秒的脉冲, 上升时间约为3 ~ 4 毫微秒的数量级, 衰减时间约5 毫微秒。较短的激光脉冲产生的上升时间约与激光脉宽相等。沿着薄膜任何给定的方向, 如同两个电接触点所确定的那样, 随着这些点之间光脉冲的平移, 没有看到电压的变化。
磁阻传感器和霍尔传感器在工作原理和使用方法方面各有什么特点
霍尔效应是载流子在磁场作用（洛伦兹力作用）下而偏离电场方向所产生的一种现象。霍尔电压与电场和磁场成正比，其比例系数称为霍尔系数；霍尔系数与载流子浓度成反比，所以非简并半导体的霍尔效应较显著，而简并半导体和金属的霍尔效应就较弱。
因为霍尔效应中需要产生一个平衡洛伦兹力作用的横向电压，电阻率越高（载流子浓度越低）的半导体，其中越容易产生出这个电压，所以半导体的霍尔效应要比金属的强。
什么是霍尔传感器
基于霍尔效应，假设在半导体上外加方向互相垂直的磁场和电流，根据左手定则，半导体内部的电子和空穴会在电场力和洛伦兹力的作用下偏移，在半导体两个端面产生电场，从而产生电势差，这个现象称为霍尔效应，产生的电压称为霍尔电压。
霍尔传感器就是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器，当在一根长导线中通以电流时，在磁芯会产生一个与导线电流大小成正比的磁场，再利用霍尔元件的特性，测量霍尔元件感应生成的电压信号，经过放大器放大霍尔电压后，输出一个可直接测量的霍尔电压。霍尔电流传感器的优点是电路简单、能量效率高、检测范围广及电耗低等；缺点是抗干扰能力差、精度较差、线性度较差、响应速度较慢、且温漂较大。
霍尔效应及工作原理
什么是合金电阻
合金电阻，也叫分流电阻（Shunt）、采样电阻，它的阻值通常都很小（mΩ或μΩ级别），主要是对电流进行检测作用，通常是串联在采样回路中，通过采集合金电阻两端的电压降，再经过分析处理可以完成电流检测，实现电路反馈、过流检测、电流控制等功能。
合金电阻的材料主要是铜合金，目前主流的合金材料有锰铜合金、康铜合金、镍铬合金、卡玛合金、铁铬铝合金等，根据不同合金的特性（电阻率，温漂，稳定性等）可以研发生产各类不同性能的低阻值合金。
基于材料优势和材料处理技术提升，合金电阻具有低阻值、大功率、高精度、低TCR、高稳定性等特性，在白色家电、消费电子、电源工控、仪器仪表、汽车电子、光伏储能等领域具有极大的应用需求。
各类合金电阻外观
合金电阻和霍尔传感器—两者对比
随着合金电阻的技术发展越来越成熟，在很多应用场景可替代霍尔传感器，应用终端可选择合金电阻作为检测元件，提高设备精度、稳定性，节约成本。
对比分析
