右图中的有效中性基区为绿色，基区相邻的耗尽区为画有阴影的淡绿色，中性发射区和集电区为深蓝色，集电区相邻的耗尽区为画有阴影的淡蓝色。从图1中可以看到，若集电极－基极反向偏置增大，则基区相邻的耗尽区越宽，中性基区越窄。
在反向偏置电压的作用下，集电区相邻的耗尽区也会变宽，宽度超过基区相邻的耗尽区，因为集电区掺杂低。中性区和耗尽区的宽度的和要保持不变，因为二者符合电中和原理。集电区变窄不会产生非常大的影响，因为其宽度远大于基区。发射极－基极结不会发生变化，因为电压不变。
基区变窄对于电流的影响有以下两方面：
由于基区变得更窄，电子与空穴复合的可能性更小。若穿过基区的电荷梯度增加，那么注入基区的少子电流会增加。若集电区电压升高，以上因素都会使集电区或晶体管的输出电流增大，如下图所示的BJT输出特性曲线。特性曲线中电压较大时的切线进行反向外推，其延长线与电压轴相交，在电压轴上截得的负截距称为厄利电压（Early voltage），记为VA。
从厄利效应可以看出，如果BJT的基区宽度发生变化，会导致更大的反向偏置电压在集电极－基极接面，会增加集电极－基极耗尽区宽度，减少基区宽度。总的来说，增加集电极电压（VC），集电极电流（IC）也会跟着上升。
厄利电压是什么
这里以NPN管举例：
其伏安特性曲线如下：
（1）输入特性曲线：
有模电基础的同学都了解，三极管有三个工作区：饱和区、放大区、截止区
（1）截止区：把 I B ≤0的区域称为截止区。此时发射结上所加的电压 U BE 不足以克服发射结的死区电压，甚至发射结处于反向偏置状态（ U BE ＜0，所以形成的 I C （或 I E ）很小，仅有很小的穿透电流 I CBO 。 简单来说，BE电压差不足，此时发射结没正偏。
（2）饱和区： 简单来说，发射结和集电结均正偏 。此时，U BE >0，三极管脱离截止区， I B >0，但是此时U CE ＜ U BE ，即集电极电压不够高导致集电结也正偏了。集电结的正偏不利于集电区吸引基区的少子（电子），那么 I C ≠βI B ，两者之间没有控制关系，集电极电流不随基极电流而变化，好像饱和了一般，所以将这一工作区称为“饱和区”。 注意，此时的三极管是没有放大能力的！
从饱和区向放大区过度时，U CE 将逐渐增大，随着PN结从正偏向反偏过度，集电区对基区少子（电子，也是发射极的多子）的吸引能力越来越强， I C 将迅速增大，随后脱离饱和区进入放大区，并稳定在某值。
（3）放大区： 简单来说，发射结正偏和集电结反偏，发射极的多子（电子）源源不断的流向了集电极。 随着U CE 的电压增大，集电结反偏，此时 I C =βI B 成立，I C 与I B 之间呈线性的放大关系，所以称为“放大区”。此时U CE 继续增大并不会影响PN结的反偏，U CE 失去了对I C 的控制，I B 的增大时I C 会随之增大。因此有种说法称三极管为“电流控制的电流源（I B 对I C 的控制）”。
这里可以补充一句，相对应的，MOS管是一种电压控制的电流源（U GS 对I D 的控制）。
MOS管和三极管的类比：
视频指路： https://wwwbilibilicom/video/BV1oE41197VRfrom=search&seid=8688819613439439886
可以发现实际放大区电流曲线并非水平的，而是有一定的斜率，且将多条放大区电流线反向延长发现交于一点，这一点的电位称为厄利电压V_AF：
这也是为什么三极管的集电极放大区命名有很大的工作范围，但是实际电路设计中只将其规范在很小的范围内，就是为了避免厄利效应的影响，从而使得电路工作的更加线性。
三极管如此，MOS管也如此，MOS管有类似的沟道长度调制效应（有时也把它叫做厄利效应）。所以为了电路设计更为线性，对于工作于放大区的三极管，需要规范其V CE 的范围，对于工作于饱和区的MOS管，需要规范其V DS 的范围。
（1）三极管搭建的电流镜：
这种威尔逊电流镜的优点：
① 使得Q1的V CE 稳定在14V，Q2的V CE 稳定在07V，不论外界电路怎么变，两个三极管的V CE 都很稳定，因此其放大倍数也很稳定，厄利效应的影响几乎消失了。因此输出电流几乎完全不再受到负载电阻的干扰。
② 输入输出电流比值更接近于1：
（4）进一步的发展：
① 比例电流镜：在输入输出回路上加电阻，使得输入输出比值不再≈1，而是呈现一定的放大、缩小的比例关系
② 微电流电流镜（uA级）：在Q1或Q2的发射极加小电阻，使得输入电流达到微安级
③ 可以将三极管换成MOS管，也可以实现电流镜的功能：
厄利电压物理意义
厄利电压：由于基区变得更窄，电子与空穴复合的可能性更小。若穿过基区的电荷梯度增加，那么注入基区的少子电流会增加。若集电区电压升高，以上因素都会使集电区或晶体管的输出电流增大，特性曲线中电压较大时的切线进行反向外推，其延长线与电压轴相交，在电压轴上截得的负截距称为厄利电压（Early voltage），记为VA。
厄利效应（英语：Early effect），又译厄尔利效应，也称基区宽度调制效应，是指当双极性晶体管（BJT）的集电极－射极电压VCE改变，基极－集电极耗尽宽度WB-C（耗尽区大小）也会跟着改变。此变化称为厄利效应，由詹姆斯·M·厄利（James M Early）所发现。
厄利效应的大信号模型
电势差、能量转换、路径选择。厄利电压本质上是电势差的一种体现；厄利电压还反映了电子在电场中运动过程中路径选择的影响；由于电势能的变化可以转化为电能或其他形式的能量，因此厄利电压也可以描述能量从电场中传输到电荷的过程。厄利电压，由于基区变得更窄，电子与空穴复合的可能性更小。
在正向有源区中，厄利效应使集电区电流IC和正向共射极电流放大系数βF发生了改变，通常二者满足下列关系：
其中VCE是集电极－发射极电压VT是热电压kT / qVA是厄利电压（一般为15 V－150 V，对于小型设备会更小）βF0是零偏压时的正向共射极电流放大系数
某些模型把集电极电流校正系数建立在集电极－基极电压VCB（基区宽度调制）而不是集电极－发射极电压VCE的基础上。利用VCB建模在物理上似乎更为合理，因为从厄利效应的物理原因上来看，集电极－基极耗尽层的变宽取决于VCB的变化。计算机模型例如SPICE中所用的模型都使用集电极－基极电压VCB。
