PWM控制IGBT的工作原理

核心提示工作原理:  1、PWM控制技术在逆变电路中应用最广,应用的逆变电路绝大部分是PWM型,PWM控制技术正是有赖于在逆变电路中的应用,才确定了它在电力电子技术中的重要地位。1 PWM控制的基本原理的理论基础: 冲量相等而形状不同;  2、

工作原理:

 1、PWM控制技术在逆变电路中应用最广,应用的逆变电路绝大部分是PWM型,PWM控制技术正是有赖于在逆变电路中的应用,才确定了它在电力电子技术中的重要地位。1 PWM控制的基本原理的理论基础: 冲量相等而形状不同;

 2、PWM控制的基本原理很早就已经提出,但是受电力电子器件发展水平的制约,在上世纪80年代以前一直未能实现。直到进入上世纪80年代,随着全控型电力电子器件的出现和迅速发展,PWM控制技术才真正得到应用。随着电力电子技术,微电子技术和自动控制。

单极性PWM控制的单相桥式逆变电路工作原理

1、PWM控制又称脉冲宽度调制。

 2、脉冲宽度调制方式是一种模拟控制方式,利用微处理器的数字输出来对模拟电路进行控制,其根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置,来实现晶体管或MOS管导通时间的改变,从而实现开关稳压电源输出的改变。

 3、脉冲宽度调制方式能使电源的输出电压在工作条件变化时保持恒定,是利用微处理器的数字信号对模拟电路进行控制的一种非常有效的技术。被广泛应用在从测量、通信到功率控制与变换的许多领域中。

如何通过PWM控制步进电机

单相桥式脉宽调制(PWM)逆变电路:结合IGBT单相桥式电压型逆变电路对调制法进行说明工作时V1和V2通断 互补,V3和V4通断也互补。以uo正半周为例,V1通,V2断,V3和V4交替 通断。负载电流比电压滞后,在电压正半周,电流有一段区间为正,一段区间为 负。负载电流为正的区间,V1和V4导通时,uo等于Ud。V4关断时,负载电 流通过V1和VD3续流,uo=0负载电流为负的区间,V1和V4仍导通,io为 负,实际上io从VD1和VD4流过,仍有uo=Ud。V4关断V3开通后,io从 V3和VD1续流,uo-0。uo总可得到Ud和零两种电平。uo负半周,让V2保持 通,V1保持断,V3和V4交替通断,uo可得-Ud和零两种电平。

PWM电路工作原理是什么,如何计算参数

在直流调速中、通过改变输出方波占空比来改变等效输出电压、在交流调速中、利用spwm在pwm的基础上改变调制脉冲方式、根据正弦规律来安排脉冲宽度和时间的占空比。

通过适当的滤波控制电机的转速、使输出波形达到正弦波输出、根据pwm控制电路中参考信号的不同处理方法、将控制方法分为计算法、调制法和跟踪控制法。

计算方法是由pwm控制电路的计算电路根据参考正弦波的频率和幅度以及半个周期内的脉冲数计算spwm脉冲的宽度和间隔、然后输出相应的pwm控制信号来控制逆变电路、从而产生与参考正弦波等效的spwm波。

调制方法是利用参考正弦波作为调制信号、等腰三角形波作为载波信号、调制正弦波得到相应的pwm控制信号、然后控制逆变电路产生与参考正弦波一致的spwm波供电负载。

跟踪控制方法是将参考信号与负载反馈信号进行比较、然后根据两者的偏差形成pwm控制信号来控制逆变电路、从而产生与参考信号一致的spwm波、跟踪控制方法可分为滞后比较法和三角波比较法。

扩展资料

直流PWM直流电机控制常用控制系统、目前,在直流电机控制系统中、普遍采用以单片机或DSP作为微处理器的控制系统、由于单片机或DSP控制电机占用端口资源多、所需周边元器件也较多对整个系统的稳定性和可靠性有较大影响。

—pwm

PWM控制电路的基本构成及工作原理

开关电源一般都采用脉冲宽度调制(PWM)技术,其特点是频率高,效率高,功率密度高,可靠性高。然而,由于其开关器件工作在高频通断状态,高频的快速瞬变过程本身就是一电磁骚扰(EMD)源,它产生的EMI信号有很宽的频率范围,又有一定的幅度。若把这种电源直接用于数字设备,则设备产生的EMI信号会变得更加强烈和复杂。 本文从开关电源的工作原理出发,探讨抑制传导干扰的EMI滤波器的设计以及对辐射EMI的抑制。[点击在新窗口查看原始] 1 开关电源产生EMI的机理 数字设备中的逻辑关系是用脉冲信号来表示的。为便于分析,把这种脉冲信号适当简化,用图1所示的脉冲串表示。根据傅里叶级数展开的方法,可用式(1)计算出信号所有各次谐波的电平。[点击在新窗口查看原始] 式中:An为脉冲中第n次谐波的电平; Vo为脉冲的电平; T为脉冲串的周期; tw为脉冲宽度; tr为脉冲的上升时间和下降时间。 开关电源具有各式各样的电路形式,但它们的核心部分都是一个高电压、大电流的受控脉冲信号源。假定某PWM开关电源脉冲信号的主要参数为:Vo=500V,T=2×10-5s,tw=10-5s,tr=04×10-6s,则其谐波电平如图2所示。 图2中开关电源内脉冲信号产生的谐波电平,对于其他电子设备来说即是EMI信号,这些谐波电平可以从对电源线的传导干扰(频率范围为015~30MHz)和电场辐射干扰(频率范围为30~1000MHz)的测量中反映出来。 在图2中,基波电平约160dBμV,500MHz约30dBμV,所以,要把开关电源的EMI电平都控制在标准规定的限值内,是有一定难度的。[点击在新窗口查看原始] 2 开关电源EMI滤波器的电路设计 当开关电源的谐波电平在低频段(频率范围015~30MHz)表现在电源线上时,称之为传导干扰。要抑制传导干扰相对比较容易,只要使用适当的EMI滤波器,就能将其在电源线上的EMI信号电平抑制在相关标准规定的限值内。 要使EMI滤波器对EMI信号有最佳的衰减性能,则滤波器阻抗应与电源阻抗失配,失配越厉害,实现的衰减越理想,得到的插入损耗特性就越好。也就是说,如果噪音源内阻是低阻抗的,则与之对接的EMI滤波器的输入阻抗应该是高阻抗(如电感量很大的串联电感);如果噪音源内阻是高阻抗的,则EMI滤波器的输入阻抗应该是低阻抗(如容量很大的并联电容)。这个原则也是设计抑制开关电源EMI滤波器必须遵循的。 几乎所有设备的传导干扰都包含共模噪音和差模噪音,开关电源也不例外。共模干扰是由于载流导体与大地之间的电位差产生的,其特点是两条线上的杂讯电压是同电位同向的;而差模干扰则是由于载流导体之间的电位差产生的,其特点是两条线上的杂讯电压是同电位反向的。通常,线路上干扰电压的这两种分量是同时存在的。由于线路阻抗的不平衡,两种分量在传输中会互相转变,情况十分复杂。典型的EMI滤波器包含了共模杂讯和差模杂讯两部分的抑制电路,如图3所示。[点击在新窗口查看原始] 图中:差模抑制电容Cx1,Cx201~047μF; 差模抑制电感L1,L2100~130μH; 共模抑制电容Cy1,Cy2<10000pF; 共模抑制电感L15~25mH。 设计时,必须使共模滤波电路和差模滤波电路的谐振频率明显低于开关电源的工作频率,一般要低于10kHz,即[点击在新窗口查看原始] 在实际使用中,由于设备所产生的共模和差模的成分不一样,可适当增加或减少滤波元件。具体电路的调整一般要经过EMI试验后才能有满意的结果,安装滤波电路时一定要保证接地良好,并且输入端和输出端要良好隔离,否则,起不到滤波的效果。 开关电源所产生的干扰以共模干扰为主,在设计滤波电路时可尝试去掉差模电感,再增加一级共模滤波电感。常采用如图4所示的滤波电路,可使开关电源的传导干扰下降了近30dB,比CISOR22标准的限值低了近6dB以上。 还有一个设计原则是不要过于追求滤波效果而造成成本过高,只要达到EMC标准的限值要求并有一定的余量(一般可控制在6dB左右)即可。 3 辐射EMI的抑制措施 如前所述,开关电源是一个很强的骚扰源,它来源于开关器件的高频通断和输出整流二极管反向恢复。很强的电磁骚扰信号通过空间辐射和电源线的传导而干扰邻近的敏感设备。除了功率开关管和高频整流二极管外,产生辐射干扰的主要元器件还有脉冲变压器及滤波电感等。 虽然,功率开关管的快速通断给开关电源带来了更高的效益,但是,也带来了更强的高频辐射。要降低辐射干扰,可应用电压缓冲电路,如在开关管两端并联RCD缓冲电路,或电流缓冲电路,如在开关管的集电极上串联20~80μH的电感。电感在功率开关管导通时能避免集电极电流突然增大,同时也可以减少整流电路中冲击电流的影响。 功率开关管的集电极是一个强干扰源,开关管的散热片应接到开关管的发射极上,以确保集电极与散热片之间由于分布电容而产生的电流流入主电路中。为减少散热片和机壳的分布电容,散热片应尽量远离机壳,如有条件的话,可采用有屏蔽措施的开关管散热片。 整流二极管应采用恢复电荷小,且反向恢复时间短的,如肖特基管,最好是选用反向恢复呈软特性的。另外在肖特基管两端套磁珠和并联RC吸收网络均可减少干扰,电阻、电容的取值可为几Ω和数千pF,电容引线应尽可能短,以减少引线电感。实际使用中一般采用具有软恢复特性的整流二极管,并在二极管两端并接小电容来消除电路的寄生振荡。[点击在新窗口查看原始] 负载电流越大,续流结束时流经整流二极管的电流也越大,二极管反向恢复的时间也越长,则尖峰电流的影响也越大。采用多个整流二极管并联来分担负载电流,可以降低短路尖峰电流的影响。 开关电源必须屏蔽,采用模块式全密封结构,建议用1mm以上厚度的镀锌钢板,屏蔽层必须良好接地。在高频脉冲变压器初、次级之间加一屏蔽层并接地,可以抑制干扰的电场耦合。将高频脉冲变压器、输出滤波电感等磁性元件加上屏蔽罩,可以将磁力线限制在磁阻小的屏蔽体内。 根据以上设计思路,对辐射干扰超过标准限值20dB左右的某开关电源,采用了一些在实验室容易实现的措施,进行了如下的改进: ——在所有整流二极管两端并470pF电容; ——在开关管G极的输入端并50pF电容,与原有的39Ω电阻形成一RC低通滤波器; ——在各输出滤波电容(电解电容)上并一001μF电容; ——在整流二极管管脚上套一小磁珠; ——改善屏蔽体的接地。 经过上述改进后,该电源就可以通过辐射干扰测试的限值要求。 4 结语 随着电子产品的电磁兼容性日益受到重视,抑制开关电源的EMI,提高电子产品的质量,使之符合有关标准或规范,已成为电子产品设计者越来越关注的问题。本文是在分析干扰产生机理、以及大量实践的基础上,提出了行之有效的抑制措施。

 
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