1增大分压取样电阻阻值
2增大高压电容的容量
3加强变压器制作工艺，减小漏感
4增大LED供电电阻值
5减少输入热敏电阻阻值
第一种方法对于降低开关损耗极为有效，但问题是因峰值电流和峰值电压所导致的固定损耗将会增加。
第二种方法是解决该问题而开发的有源缓冲器，是一种极为实用的ZVS方式；但是，由轻负载条件
下的无功电流所引发的效率下降问题却是其一大缺陷。
第三种方法，采用抽头电感的方式是比
较有效的，它能够应付由漏感所引起的浪涌现象。
第四种方法，两段式结构是实现同步整流电路高效工作的方法
之一，它采用接近05的固定时间比率，并由前段的转换器来进行输出电压控制。它一反“两段式结构
将导致效率下降”这一传统思维模式，在低电压大电流的场合非常效。
第五种方法，可将整个转换器电路进
行并联，也可像电流倍增器那样部分采用并联结构。下面将对利用转换器的并联操作所实现的效
率提升情况进行简要阐述。
同步整流管与其他整流管有什么不同
通过内部同步信号控制同步整流管的导通和截止。
在交流输入电压周期的前半个周期，TEA1995通过内部的同步信号控制同步整流管开启，使得直流输出电压为零；在交流输入电压周期的后半个周期，TEA1995通过内部的同步信号控制同步整流管关闭，使得直流输出电压为电源电压。总之，TEA1995的同步整流原理通过内部同步信号控制同步整流管的导通和截止，实现了交流-直流转换过程中的效率提升和输出电压的稳定性。
tea1995是一款常用的交流-直流同步整流控制器芯片，用于电源电路中的交流-直流转换。
同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET，来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高DC/DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。用功率MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。 同步整流管导通时的的管压降至少要比二极管的压降低，这样才能体现同步整流的优势，I同步整流一般用在低压大电流的情况下。比如输出电压只有3V，这时即使用肖特基只有03V的管压降那整流效率也只有90％。而MOS管导通时呈电阻态，管压降可以很低达到几十毫伏甚至几毫伏，这时的整流效率就很高了。常见的小功率MOS同步整流管： 耐压30V 5A 200KH Z: IRFB3206 IXTP240N055T IRF2804 IRF3077等。
普通整流二极管是一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结，有阳极和阴极两个端子。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿）。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用。
