如果你在二极管二端加上10V的电压，那么此时经过电源内阻限流后，电流超过了此二极管所能承受的最大电流，二极管就补烧毁了！不超过二极管的允许最大电流，那么肯定是电源有内阻承担了另外过多的电压。此时二极管的电压肯定是07V。它的作用和稳压管类似，只要符合了稳压管的条件它就稳压，超过了或者不稳压，或者被烧毁。如果是一个能力特别强的电源，比如是理想电源，那么二极管肯定是被击穿的。
二极管的正向导通电压
硅二极管的正向导通电压降为05-07伏；锗二极管的正向导通电压降为01-03伏。
导通电压降受通过电流大小的影响。
作为“导通电压”，应该是指初始导通时的电压降，所以可取最小值，即：
硅二极管正向导通电压为05伏；锗二极管正向导通电压为01伏。
理想二极管的导通正向压降是多少？
建议楼主多看一些电子元件基础的知识
硅二极管的导通电压一般在06-07V之间，这个只是导通电压的一个波动范围，如果说05v以上就导通，是不专业的说法，也不规范
二极管的正向导通电流是毫安级的，正向工作电流一般都是安培级的，具体的看型号而定。
"(虽然05v-->06v之间的电流确实是小的一点点^_^)"，说明楼主对二极管的知识了解太少，要多KK才行
锗管的正向导通电压
硅材料二极管的正向导通压降一般为05V~12V左右，锗材料二极管的正向导通压降一般为02V~04V左右，但是做不到零伏（理想状态）。
若使用万用表电压档测量二极管的正向导通压降为0V，有可能该二极管已击穿，或者该二极管后端完全悬空（无电流），或者该二极管并联有其它几乎无压降电路造成。
二极管并联有其它电路。当电路板上的二极管并联有其它元器件时，直接在电路板上测量其正向导通压降是有可能为0V的情况。
扩展资料：
导通内阻20mΩ的场效应管，工作电流为1A时，压降只有20mV，几乎零压降。上图是采用P沟道的场效应管代替普通二极管作为防反接电路。
其具体工作过程为：（假设电源为10V，二极管D1的压降为07V）上电瞬间，场效应管控制端G极串联电阻R1接负极，电压为0V，漏极D电压为10V，S极电压为0V，VGS=0V，场效应管截止。
然后电流从二极管D1流过形成回路，电流经过场效应管S极时，S极的电压为93V，此时VGS=-93V，场效应管Q1饱和导通，此时二极管的压降几乎为零。由此可见，虽然正常工作时二极管D1的压降几乎为零，完全不起作用。但是去掉这个二极管就不行，去掉之后场效应管Q1永远无法导通。
硅二极管和锗二极管正向导通电压多少
锗管的压降是02V~03V，在大电流下至少是03V。但是由于除了压降以外的其他指标都逊于硅管，锗管现在很少见了，几乎可以算是被淘汰了。建议你用肖特基二极管，这种二极管额定电流下的正向导通压降低于硅二极管，在05V左右，有很多型号能通过很大电流，如1N5820，正向电流3A、反向耐压20V、导通压降0457V（3A下）；MBR340，正向电流3A、反向耐压40V、导通压降0525V（3A下），当电流小于3A时，它们的导通压降还会更低。
为什么二极管正向导通，电压为负值
硅材料二极管:导通电压约05~07v,温度升高后正向压降降低,反向电流增加锗材料二极管:导通电压约01~03v,温度升高后正向压降降低,反向电流增加二极管主要功能是其单向导通有高低频之分,还有快恢复与慢恢复之分,特殊的:娈容二极管,稳压二极管,隧道二极管，发光二极管，激光二极管，光电接收二极管，金属二极管（肖特基），，，用途：检波，整流，限幅，吸收（继电器驱动电路），逆程二极管（电视行输出中）．
解题思路：二极管和电阻两端的电压=两个电源电压之和=5V（电流按照顺时针为正），如果假设电阻上没有压降，那么二极管有正向压降，所以导通。那么Vo电压等于二级管压降（理想为0）加上5V电源电压之和，考虑到方向，所以Vo=-5；最后得出结论：二极管正向导通，Vo=-5V
