20N20在TO-220F封装里引出3个引脚，是一款低功耗场效应管。20N20的脉冲二极管正向电流(ISM)为72A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。20N20的栅极阈值电压(VGS)为±30V，静态漏源导通电阻RDS(on)为018Ω。20N20的电性参数是：连续二极管正向电流(IS)为20A，漏源电压(VDSS)为200V，二极管正向压降(VSD)为15V，反向恢复时间(trr)为158NS。
20N20参数描述
型号：20N20
封装：TO-220F
特性：低功耗场效应管
电性参数：20A 200V
连续二极管正向电流(IS)：20A
脉冲二极管正向电流(ISM)：72A
漏源电压(VDSS)：200V
栅极阈值电压(VGS)：±30V
静态漏源导通电阻(RDS(on))：018Ω
二极管正向压降(VSD)：15V
零栅极电压漏极电流(IDSS)：10uA
反向恢复时间(trr)：158NS
工作温度：-55~+150℃
引线数量：3
漏源电压从小到大，晶体管状态怎么变化
10N60参数为：场效应管
电压电流： 10A,600V
制造商零件编号: 10n60
种类: mosfet
沟道类型: n
最大耗散功率 (pd): 156
漏源电压 (uds): 600
栅源电压 (ugs): 30
最大漏极电流 (id): 10
最大工作温度 (tj), °c: 150
导通上升时间 (tr): 69
输出电容 (cd), pf: 166
静态的漏源极导通电阻 (rds), ohm: 072
封装形式: to-220_to-220f_to-220f1_to-220f2_to-262_to-263。
管子印有字体一面对着人脸，从左到右依次是一脚为G(栅极) ，二脚为D （漏极)，三脚为S（源极）。
扩展资料：
可以用指针式万用表测电阻法对场效应管进行测量。
场效应管的测量方法：
主板中常用的MOS管G D S3个引脚是固定的，不管是N沟道还是P沟道都一样，把芯片放正，从左到右分别为G极D极S极。
用二极管档对MOS管的测量，首先要短接三只引脚对管子进行放电。然后用红表笔接S极，黑表笔接D极，如果测得有500多的数值，说明此管为N沟道。黑笔不动用红笔去接触G极测得数值为1。红笔移回到S极此时管子应该为导通。
然后红笔测D极，而黑笔测S极应该测得数值为1。(这1步时要注意因为之前测量时给了G极25V万用表的电压，所以DS之间还是导通的，不过大概10几秒后才恢复正常，建议进行这1步时再次短接三脚给管子放电先)。
参考资料：
制造商零件编号: 7N60
种类: MOSFET
沟道类型: N
最大耗散功率 (Pd): 142
漏源电压 (Uds): 600
栅源电压 (Ugs): 30
最大漏极电流 (Id): 74
最大工作温度 (Tj), °C: 150
导通上升时间 (tr): 180
输出电容 (Cd), pF: 125
静态的漏源极导通电阻 (Rds), Ohm: 083
封装形式: TO-220_TO-220F_TO-220F1_TO-220F2_TO-262_TO-263
这样的提问没有意义
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