MOSFET(metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor)是一种三极场效应晶体管，是电子学中常用的晶体管器件之一。它具有高电流增益、高电压驱动能力和低功耗等优点，广泛应用于电路设计中。
MOSFET由三个极层组成，包括：
源极(source)：连接到N沟道区域，电流进入晶体管的端点。
汇极(drain)：连接到P沟道区域，电流流出晶体管的端点。
连接极(gate)：与N沟道区域相隔离，通过一层氧化膜与N沟道区域相连。
工作原理：
在MOSFET中，连接极与P沟道区域之间隔离，因此不会直接通过电流。
连接极上的电压会影响N沟道区域的电流。当连接极的电压升高时，N沟道区域的电流会增加，电流就会从源极流入汇极。
当连接极的电压为负时，N沟道区域的电流会减少，这种情况下称为开关关闭。此时电流流量很少，几乎为零。
MOSFET分为两种：nMOS,pMOS分别由N型沟道区域和P型沟道区域组成。
