72V到88Ⅴ。型号为2CW56的稳压二极管的反向击穿电压是7Ⅴ到288Ⅴ，电流27mA，功率025W。稳压二极管，英文名称Zenerdiode，又叫齐纳二极管。利用PN结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。
什么是二极管死区电压和反向击穿区电压
没有绝对的绝缘体，PN结处于反偏时，仍然会有少数载流子受热振动漂移，在电场作用下会形成电流，但是非常小，该参数受温度影响非常大，在不断加大反向电压情况下，会发生电击穿，此时二极管失去单向导电性。
在衡量二极管的性能时，反向电流越小越好。
一般来讲，一个PN结就构成一个所谓二极管，它有一个特性就是在加上正反向电压时的导通结果是不一样的。反向时电阻很大，当加到一定电压时就会击穿（瞬间电流很大），这个值就叫反向击穿电压。
一个硅二极管反向击穿电压为150伏,则其最高反向工作电压为
死区电压也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。
在二极管正负极间加电压，当电压大于一定的范围时二极管开始导通，这个电压叫开启电压。锗管01左右，硅管05左右。死区电压是指在二极管应用在具体的电路中时，由于本身的压降，也就是供电电压小于一定的范围时不导通，造成输出波形有残缺，从供电电压经过零点直到输出波形残缺消失的时候，这一段电压就是死区电压，本质上就是二极管的开启电压。
当二极管加上正向电压时，便有正向电流通过。但正向电压很低时，外电场还不能克服PN结内电场对多数载流子扩散运动所形成的阻力，此时正向电流很小，二极管呈现很大的电阻。当正向电压超过一定数值（硅管约05V，锗管约01V）后，二极管电阻变得很小，电流增长很快。这个电压往往称死区电压。
理想二极管：死区电压=0 ，正向压降=0
实际二极管：硅二极管的死区电压为05V，正向压降为06~07V
锗二极管的死区电压约01V，正向压降为02~03V
反向击穿电压，二极管反向击穿时的电压值。二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压VBWM一般是VBR的一半。
二极管反向击穿电压1000V什么意思7？
一般二极管的反向击穿电压叫做反向不重复峰值电压,它一般是反向重复峰值电压的12倍,最高反向工作电压一般是反向重复峰值电压的07倍
反向击穿电压为150伏,则其最高反向工作电压为875V
PN结的反向击穿电压是多少二极管三极管和稳压管是否一样呢
二极管的反向击穿电压参数是1000V，表示这只二极管可以正常工作在反向电压低于1000V的环境下。
任何一种元器件都有它的极限耐压值，二极管反向耐压也不例外。这个二极管反向极限值就是反向击穿电压，它是选择二极管的一个重要参数，在选择二极管使用应用时，必须保证它所承受的反向电压不允许超过这个值，否则二极管会发生不可逆的反向击穿，造成二极管损坏。
不一样,BC结的反向击穿电压低的几十伏,高的数百伏,但有一点是一样的,就是NPN管的BE结反向击穿电压都是6V左右,因此NPN管的BE结可当6V稳压管用
补充：应该是所有硅材料管（PNP和NPN）的BE结都有反向击穿电压都是6V这特性，利用这特性可鉴别管子的C和E脚，用10K档分别测BC和BE的反向电阻，击穿的是BE结。
