描述
MOS管相比三极管来讲，具有更低的导通内阻，在驱动大功率的负载时，发热量就会小很多。MOS管的驱动与三极管有一个比较大的区别，MOS管是电压驱动型的元件，如果驱动电压达不到要求，MOS就会不完全导通，内阻变大而造成过热。
MOS管驱动电路
MOS管分为N沟道与P沟道两种，N沟道用于电源负极的控制，P沟道用于电源正极的控制，两者直接的控制信号电压也存在区别。对于NMOS来讲，当栅极与源极的电压超过一定电压阈值的之后就会导通，PMOS与之相反。
MOS管
NMOS与PMOS还有一点比较大的区别，NMOS的导通内阻一般比PMOS要小一些，并且制造成本性对较低，所以在功率较大的控制场合，一般会选用NMOS，当然也要根据控制电路的逻辑关系进行选择。以NMOS为例，当Vgs大于最小控制电压阈值时，MOS管会导通，但是其导通内阻无法达到最小设计值，所以想要保证其导通内阻，就要有足够的控制驱动电压。
MOS管
上图是常用N沟道MOS管AO4468参数手册中给出的导通内阻参考值，当控制电压4.5V的时候，导通内阻小于22mΩ；控制电压10V时，导通内阻小于14mΩ，从这个参数上能够看出，不同的驱动电压下，导通内阻是存在一定差别的。
单片机如何驱动MOS管
常用的单片机一般分为5V单片机与3V单片机，单片机的IO口输出的高电平电压最高是可以接近电源电压的，但会比电源电压小一些。由于三极管是电流驱动型的元件，所以不需要太高的驱动电压就可以饱和导通，而对于MOS管来讲，根据不同型号参数的，导通电压会有差别，单片机IO能够输出的电压，对于大部分的MOS管来讲是达不到其导通条件的。
MOS管
所以在单片机驱动MOS的电路中，通常会采用三极管作为前级驱动，由电源电压驱动MOS管开启，有些开启电压较高的MOS管，还会提高驱动电压，而不使用单片机的5V供电，比如12V、15V等等。
所以单片机不能直接驱动MOS管的主要原因是驱动能力的问题，单片机的IO输出的电压达不到MOS管的导通条件，或者达不到饱和导通的条件
驱动电压VGS小于3V的低压N沟道MOS有那些型号?
MOS开关电路图电路图如下：
AOD448是30V?75A的管子，是用4.5V驱动的，偏高了点。
可以用AOD442，AO3416等管子，电压用2.5V就能驱动。当电压为2.5V时，只有26豪欧。电流2到3安没问题。
也可以用IRF540N，1A条件下一点问题都没有，当时做精密恒流源，可以控制到精度1mA。不过散热很重要，要有足够大的散热片和小风扇。电压有个3-5V就足够了。高电平驱动（其实就相当于PWM）。
扩展资料：
MOS管开关电路：
1、P沟道MOS管开关电路
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。需要注意的是，Vgs指的是栅极G与源极S的电压，即栅极低于电源一定电压就导通，而非相对于地的电压。但是因为PMOS导通内阻比较大，所以只适用低功率的情况。大功率仍然使用N沟道MOS管。
2、N沟道mos管开关电路
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压大于参数手册中给定的Vgs就可以了，漏极D接电源，源极S接地。需要注意的是Vgs指的是栅极G与源极S的压差，所以当NMOS作为高端驱动时候，当漏极D与源极S导通时，漏极D与源极S电势相等，那么栅极G必须高于源极S与漏极D电压，漏极D与源极S才能继续导通。
百度百科-Mos开关电路
1、日系的可以做到，尤其富士的。
2、富士FAP-|||B系列的VGS大多是1.5V。这些是低压管，市场定位不太匹配，可能成本比较高。
3、列举几个型号给你：2SK2806-01；2SK2808-01MR；2SK2896-01L，S。
