1. 电源引脚
VCC（40脚）：直流电源供电电压4.0~5.5V
GND（20脚）：电源负极（电源地电平）
2. 振荡器电路外接晶振引脚
XTAL1（19）和XTAL2（18）：片内振荡器电路外接晶振端。S51内部有一个构成片内振荡器的高增益反相放大器，这两个引脚分别是该放大器的输入端和输出端。
3. 多功能I/O接口引脚
（1） P0口（39~32）：一个八位漏极开路并行双向I/O端口。作为I/O接口时，每个引脚需外接上拉电阻。作为输出口时，引脚功能为：以吸收电流方式驱动8个LSTTL负载；作为输入口时，要先将引脚内的输出锁存器置1。在系统需要功能外扩展时，可用作访问外部程序存储器和数据存储器时的低八位地址/数据总线的分时复用线，此时不用接上拉电阻。在Flash存储器编程时，P0口接受程序代码字节数据输入；在编程校验时，P0口输出代码字节数据，此时需要上拉电阻。
（2） P1口（1~8）：一个内接上拉电阻的八位并行准双向I/O端口。由于这种接口输出没有高阻状态，输入也不能所存，所以不是真正的双向I/O口。作为输出口时，每个引脚驱动4个LSTTL负载；作为输入口时，要先将引脚内的输出锁存器置1。在 Flash并行编程和校验时，P1可输入低字节地址信息。在串行编程和校验时，A. P1.5（6）作MOSI（串行指令输入）； B. P1.6（7）作MISO（串行指令输出）; C. P1.7（8）作SCK（串行移位脉冲控制端）。-----这三个组成了串行ISP编程接口
（3） P2口（21~28）：一个内接上拉电阻的八位并行准双向I/O端口，作为通用I/O口时，功能与P1一致。在系统外扩展时，用作访问外部程序存储器和数据存储器的高八位地址总线；在Flash存储器并行编程和校验时，可输入高字节地址信息，P2.6和P2.7作控制位。
（4） P3口（10~17）：一个内接上拉电阻的八位准双向I/O端口，作为通用I/O口时，功能与P1一致。在Flash存储器并行编程和校验时，P3.3，P3.6，P3.7为控制位。
Vcc是弱电电路中使用最多的电源符号，Vcc是Volt Current Condenser的缩写，在电路中，意为电源。是指直流电源，常为5V直流电源。
下述符号是常见的电源符号，都是指直流电源。
VCC：C=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压；?
VDD：D=device 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压；?
VSS：S=series 表示公共连接的意思，通常指电路公共接地端电压；?
VEE：E=electron 表示构成物质的基本粒子之一，因带负电，也写作e，通常指负电压供电。
