双H桥，两个H桥电路，H桥为一种电子电路，可使其连接的负载或输出端两端电压反相/电流反向，因为它的电路形状酷似字母H，故得名“H桥”。
链式H桥方案的每一个阶段由许多串联的单相转换器（即链节）组成，根据电压等级，决定是否采用大容量电压调节器接入系统。该方案不需要35kV及以下电压的变压器，具有模块化设计、体积小等优点，但也存在对系统绝缘水平要求高的缺点。
扩展资料：
H桥电路可以以分立元件的形式构建，也可以集成到集成电路中，“H桥”的名字来源于它的电路、两个并联支路和一个负载接入/电路输出支路，它似乎形成了一个“H”形的电路结构。
这种电路可用于直流电机的正反向控制和速度控制、步进电机控制（双极步进电机还必须包括两个H桥电机控制器）、大多数DC-AC变换器（如逆变器和变频器）、一些DC-DC变换器（推挽变换器）等电能转换中，以及它的电力电子设备。
-链式H桥
-H桥
H桥电路二极管作用？
不管基于ARM还是MCU或是DSP，只要是用H桥的，就不能让同一侧的上下两臂同时导通，否则会短路电源，但是由于电机本身是可以在电源电压下工作的，所以无论H桥上出现什么样的问题，可通过电机的最大电压也不会超过电源电压的，理应不会烧坏。
如果电机损坏有两个可能，一是电机本身有问题，二是所选电机的额定电压比电源电压低。
如何用三极管个mos管做H桥驱动电机？求电路
二极管在电路中的作用是单向导电。可用于：检波、整流、稳压、隔离反向电。
1、二极管是最常用的电子元件之一，他最大的特性就是单向导电，也就是电流只可以从二极管的一个方向流过，二极管的作用有整流电路，检波电路，稳压电路，各种调制电路，主要都是由二极管来构成的，其原理都很简单，正是由于二极管等元件的发明，才有我们现在丰富多彩的电子信息世界的诞生，既然二极管的作用这么大那么我们应该如何去检测这个元件呢，其实很简单只要用万用表打到电阻档测量一下正向电阻如果很小，反相电阻如果很大这就说明这个二极管是好的。对于这样的基础元件我们应牢牢掌握住他的作用原理以及基本电路，这样才能为以后的电子技术学习打下良好的基础。
2、二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode)，另外，还有早期的真空电子二极管；它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的转导性。一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。
h桥电路能否用4个npn三极管
H桥驱动电机，一般都是驱动直流电机，小功率的，电流范围不是很大。
要想电机能转动并且能调节方向，采用H桥是比较理想的电子换向驱动。
H桥的基本电路一般如下图：
其中Q1和Q3作为上桥臂，Q2和Q4作为下桥臂
图中只有对角线的管子开通时，电机才能转动。比如：
Q1，Q4开通，电机正转
Q2，Q3开通，电机反转
Q1，Q3或者Q2，Q4开通时，电机处于制动停止状态。
图中，应尽量避免同一个桥臂的两个管子导通，比如Q1，Q2同时导通或者Q3，Q4同时导通，都会引起管子的烧毁。
图中，上桥臂Q1和Q3采用PNP型三极管，Q2和Q4采用NPN三极管，因为Q1和Q3是高端驱动，采用了PNP管子就避免带来驱动电路设计的麻烦。
如果采用三极管和MOS管的结合，
那么只要把Q2和Q4替换成N沟通的MOS管就可以，
因为N沟通的MOS管比较成熟，也比较常见，价格也OK。
下图是具体的电路图：
H桥电路问题，麻烦大虾进来一下
可以的，但是这样的话，负载就少了一个NPN三极管(上管)的Vbe的电压（且这个电压会随负载电流增大而增大），并且这还是驱动电压要和负载需求的电压一样高，也就是说负载需要24V，驱动也需要24V。
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
上面的电路理论上没有错误,你说的会烧坏管子可能是你选择的三极管开关速度不够或者100k电阻过大，两对管分别用PNP于NPN组合没有错。
还有一点就是Q1、Q2基级需要限流电阻 ，4个电阻选择10k比较合理（100k该为10k）
