这个电路存在下列问题：
1、光耦不能导通，因为发光二极管DS0-DS2极性接反，不能导通，电路不能工作。如果极性反过来，到是可以导通，但Vin0-Vin2要用低电平控制，即逻辑0控制光耦的导通。
2、场效应管能否把电流控制在1-1.5A，要看场效应管的栅极开启电压Vg(th)和它的特性曲线，我没有IBF3205的资料。
3、续流二极管不能用1N941，因为这是稳压管，而且稳压值好像是12V的，会烧毁，至少要用1N5408。
1 这个电路采用是NMOS管，如果COP是高组态，那么为什么A点处是高电平，那个Rcop上拉电阻如果达到1M，那么A处还是高电平吗？ 答：正是由于Rcop所以COP是高组态时处是高电平。即便Rcop阻值高达10MA处还会是高电平，只是阻值太高容易引入干扰，所以取几K的阻值就好。
2 图中标识的放电用FET，我大概分析下是：NMOS管的栅极B如果是低电平，那么放电用MOS管应该是导通的，此时电流流向是D流向S的，这个分析对吗？答：应该DOB是高电平时放电FET导通。
