运放的输出级结构一般采用乙类推挽电路，输出为最高电压时，连接电源的推挽管导通（只有导通才能有最高输出电压），因此，Uom(最大输出电压) 是电源电压减去晶体管的饱和压降。
1、为了说明方便，下面以LM358为例，LM358内部电路示意图如下：
2、类似LM358示意图，许多集成运放的输出电路都有Q6、Q13这样一种推挽电路连接方式。当Q9稳定输出为低，Q10导通，Q11截止，Q12截止，Q13截止，输出通路为电源与Q6的Vce之差，Q12截止，Q5、Q6组成的达林顿连接导通，Q6的Vce为饱和导通电压降。
3、Rsc与Q7构成保护电路，Rsc是保护电阻，阻值很低，输出电流在其上面的压降低于0.5V，分析时忽略不计。
4、据上述分析，电路图中最大输出电压可以算作是电源电压减去Q6的饱和压降。
为什么现在的半导体元件用的都是硅？
这与被测信号的电平有关，门限电平= (MIN + MAX)/2，其中MAX为电平信号的高电平电压，MIN为低电平电压，根据采样实际情况微调阀值电平。
门限电压通常被定义作为门电压，是指逆温层形成在绝缘层(氧化物)和基体(身体)之间的接口晶体管。在nMOSFET晶体管的基体由p类型硅组成，正面地充电流动孔作为载体。
早年或最初的半导体材料都是用锗。如我国锗类晶体管就是3A系列和3B系列。二极管是2A系列。上世纪6，7十年代有半导体收音机基本上都是锗材料。
锗材料的致命弱点就是温度稳定性很差。三极管漏电流很大，门限电压很低0.1V左右。当大规模集成电路时。这些都是致命的缺点。
至于题主用金属与非金属的概念套散热性能并不合适。锗虽属金属元素，但其导电性属于半导体。
