“基准电压是指传感器置于0℃的温场(冰水混合物),在通以工作电流(100μA)的条件下,传感器上的电压值。
实际上就是0点电压。其表示符号为V(0),该值出厂时标定,由于传感器的温度系数S相同,则只要知道基准电压值V(0),即可求知任何温度点上的传感器电压值,而不必对传感器进行分度。”

基准电压一般采用专用的集成电路,IC 内部有抑制温漂的措施,高精度基准电压发生器必须置于恒温槽内。
交流电也有基准电压,如用于交流测量仪表的校准。
传感器也有基准电压,与上述含义不同。表示在标准状态下,传感器的静态输出值。
扩展资料:
基准电压源是模拟集成电路的重要组成部分,在许多集成电路中都需要精密又稳定的电压基准,如模数转换器、数模转换器、线性稳压器和开关稳压器。
目前采用的基准电压源设计方法主要有三种:掩埋齐纳二极管、XFET(外加离子注入结型场效应管)和带隙基准电压源,带隙基准电压源包括双极型和 CMOS 带隙基准源 。
掩埋齐纳二极管基准电压源和 XFET 基准电压源都具有精度高、稳定性好的特点,但是二者的制造过程不能与标准 CMOS 工艺兼容,并且掩埋齐纳二极管基准源的电源电压高、工作电流大、功耗大。
基准电压源设计的关键点在于精度高、温漂小,带隙基准电压源利用硅的能带隙作为基准电压,可以实现高精度,采取一些温度补偿的办法,可得到几乎不受温度影响的基准电压。

百度百科-基准电压
双极型晶体管是由两个背靠背PN结构成,以获得电压、电流或信号增益的晶体三极管。
双极型晶体管是一种电流控制器件,电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比,双极型晶体管开关速度慢,输入阻抗小,功耗大。双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高,已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域,起放大、振荡、开关等作用。
用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域,并形成两个PN结,就构成了晶体管.
扩展资料:
双极型晶体管输出特性放大区的特点是:
1、IC受IB的控制,与UCE的大小几乎无关。因此三极管是一个受电流IB控制的电流源。
2、特性曲线平坦部分之间的间隔大小,反映基极电流IB对集电极电流IC控制能力的大小,间隔越大表示管子电流放大系数b越大。
3、伏安特性最低的那条线为IB=0,表示基极开路,IC很小,此时的IC就是穿透电流ICEO。

4、在放大区电流电压关系为:UCE=EC-ICRC, IC=βIB
5、放大区管子可等效为一个可变直流电阻。
参考资料:
百度百科-双极型晶体管

