ttl集成电路使用ttl管，也就是pn结。功耗较大，驱动能力强，一般工作电压+5v
cmos集成电路使用mos管，功耗小，工作电压范围很大，一般速度也低，但是技术在改进，这已经不是问题。
就ttl与cmos电平来讲，前者属于双极型数字集成电路，其输入端与输出端均为三极管，因此它的阀值电压是<0.2v为输出低电平；>3.4v为输出高电平。
而cmos电平就不同了，他的阀值电压比ttl电平大很多。而串口的传输电压都是以coms电压传输的。
1，ttl电平：
输出高电平>2.4v,输出低电平<0.4v。在室温下，一般输出高电平是3.5v，输出低电平
是0.2v。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0v，输入低电平<=0.8v，噪声容限是
0.4v。
2，cmos电平：
1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0v。而且具有很宽的噪声容限。
3，电平转换电路：
因为ttl和coms的高低电平的值不一样（ttl
5v<＝＝>cmos
3.3v），所以互相连接时需
要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压，没有什么高深的东西。哈哈
4，oc门，即集电极开路门电路，od门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能
将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱
动门电路。
5，ttl和coms电路比较：
1）ttl电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。
2）ttl电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。
coms电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。
coms电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常
现象。
集成电路按晶体管的性质分为TTL和CMOS两大类，TTL以速度见长，CMOS以功耗低而著称，其中CMOS电路以其优良的特性成为目前应用最广泛的集成电路。
CMOS是Complementary metal Oxide Semiconductor（互补金属氧化物半导体）的缩写。(PMOS管和NMOS管)共同构成的互补型MOS集成电路制造工艺，它的特点是低功耗。由于CMOS中一对MOS组成的门电路在瞬间看，要么PMOS导通，要么NMOS导通，要么都截至，比线性的三极管(BJT)效率要高得多，因此功耗很低。
TTL全称Transistor-Transistor Logic,即BJT-BJT逻辑门电路，是数字电子技术中常用的一种逻辑门电路，应用较早，技术已比较成熟。TTL主要有BJT（Bipolar Junction Transistor 即双极结型晶体管，晶体三极管）和电阻构成，具有速度快的特点。最早的TTL门电路是74系列，后来出现了74H系列，74L系列，74LS,74AS,74ALS等系列。但是由于TTL功耗大等缺点，正逐渐被CMOS电路取代。
