高压电气试验设备的操作需注意哪些？
一、高压电力试验中一些容易被忽略的问题
1、试验设备和被试设备的接地问题
（1）试验设备的接地对试验结果的正确性、人身的安全起着至关重要的作用，任何的接地错误和接地不良都可能导致试验结果出现误差或无法进行试验，比如说在进行对干扰要求较高的高压试验工作时要严禁将试验设备的“工作接地”与“保护接地”接地同时接在电源的工作接地上，如果两个接地同时接在电源的工作接地上那么电源工作接地上的杂波将会影响试验设备方波的校准，导致干扰波形无法消除。
（2）被试设备接地不良，高压电器的被试设备如果接地不良则容易引起介质的损耗，这种问题通常发生在耦合电容器或电压互感器等电容性的设备上，在发电厂的变电站里，经常把线路与电压互感器直线连接，以确保线路正常运行，如果电力设备的连接线或者接地开关接触不良，就相当于把一个等量的电阻串联在电容器上，比如：倘若电容器的电容量为C，等值串联电阻为R，介质损耗因数是tgδ，则它们之间的关系式为：tgδ=ωCR，根据公式，当设备出现接地不良的情况后，电容器产生的耗损会随着电容量C的增大而加大，当电容量C很大的时候会导致被试设备介质的耗损超标。
2、试验电压不同所引起的问题
（1）对介质损耗因数测量的影响
介质损耗与绝缘材料中的杂质有关，在强磁场作用下，耦合电容器中的连接线接触不良，电压较低时，氧化层未被消融而表现出较大的接触电阻，介质损耗较大。提高试验电压，氧化膜被消融，接触电阻下降而导致介质损耗减小，这个时候即使把试验电压降低，氧化膜依然是导通的，因而不再增大介质损耗。
（2）对直流泄漏电流的影响
导体的形状、电压极性和导体之间的距离确定之后，导体表面产生的电晕电流便与电场强度的大小有关系，外加电压小于一定值时，由于电晕电流很小，因而可以忽视它对泄漏电流的影响。当试验电压超过一定值以后，电晕电流将增大很多，从而影响泄漏电流的数值，此时便要采取一定的措施来降低电晕电流的影响。
（3）对测量直流电阻的影响
某厂的1台变压器在执行预防性试验的时候，在使用双臂电桥测量绕组的直流电阻，发现结果明显比历年数据偏大。当采用外加直流电压电流法测量时，发现测量结果与历年的数据很接近。当改用不同的仪器进行测量时，测量的结果变动很大，初步断定出现这一现象原因是变压器的绕组导线已经断裂，导线断裂之后会在断口表面形成一层导电性差的氧化膜，使用双臂电桥测试时，电桥的输出电压较低，氧化膜不会被消融，因而表现出较大的电阻。使用外加电压电流测试时，输出的电压高，氧化膜被消融而导电，因而测量的直流电阻变小，后经解体检查发现，该变压器绕组端部有5处断裂，上面的测试实例表明：对于和直流电阻相关的测量，使用输出电压较低的仪器更容易显露出设备的缺陷。
3、引线所引起的问题
（1）绝缘带引发的问题，在一次测量断路器断口电容器的介质耗损因数时，所得到的数据一直不合格，经不断的检测最终发现只有除去固定引线的塑料带以后，测量的数据才是合格的，用兆欧表进行电阻的测量结果表明：被测试设备的绝缘电阻都大于10000兆欧，而塑料带的绝缘电阻只有几百兆欧，使用这种塑料带来固定引线，相当于在设备上并联了一个电阻，进而增加了设备的介质损耗，为了确保试验结果的正确性，一定要检查绝缘塑料带的绝缘电阻。
（2）避雷器的引线问题，在一次高压电力检测试验中，一台220千伏的主变中性点避雷器的引线被检修人员断开，然而引线的接头没有拆除而留在了避雷器上，测试的结果是：75%直流参考电压下的泄漏电流高达80微安。在拆下避雷器上的引线后进行重新测试，则发现泄漏电流已经小于20微安，因此，在进行高压电力试验时，必须拆除高压部位的全部引线，从而避免引起电流泄漏和造成微安电表的测量偏差。
4、测量方法所引起的问题。
某发电厂对1台油浸式串联电抗器进行交接试验中，发现电抗器的介损、绝缘电阻和直流电阻的数据均正常，只有电抗器绕组的电抗值与铭牌值相差比较远，后来采用三相电源，用电流电压方法来进行测试，加压使电流值达到10安，计算出来的三相电抗值是合格的，初步分析原因：电容电感测试仪是单相测试，另外两相的绕组是悬空的，铁芯的耦合作用会产生空载电流，而导致电抗值会减小，所以在测试电抗器的电抗值时，对三相一体式和三相分体式要采用不同的测试方法。
二、高压电力试验中几个需要重视的问题
1、注重高压CT和PT的二次绕组，弄清楚高压电力试验设备和被试设备的不良接地问题，同时考虑测量的精度和安全性，对其中某一端的接地状况要确认无误，在交流耐压的试验过程中，仔细的测量试验品的电容电流强度，利用电流的大小来断定高压电力试验电压是否正常运行。
2、测试过程中要留意引线的重要作用，引线的绝缘带有几百兆欧大小的电阻，倘若不拆除绝缘带，就相当于给介质增加了几百兆欧的电阻，影响了高压电力试验的正常运作。
3、必须重视电压的重要性，首先，要重视电压对介损测量的影响，低压下，氧化层完好无损，因而接触电阻较大，介质损耗较大。若不断增大试验电压，氧化层将会被击穿，导致接触电阻变小，从而引起介质损耗变小。
1.主频
主频，也就是CPU的时钟频率，简单地说也就是CPU的工作频率，例如我们常说的P4(奔四)1.8GHz，这个1.8GHz(1800MHz)就是CPU的主频。一般说来，一个时钟周期完成的指令数是固定的，所以主频越高，CPU的速度也就越快。主频=外频X倍频。
此外，需要说明的是AMD的Athlon XP系列处理器其主频为PR(Performance Rating)值标称，例如Athlon XP 1700+和1800+。举例来说，实际运行频率为1.53GHz的Athlon XP标称为1800+，而且在系统开机的自检画面、Windows系统的系统属性以及WCPUID等检测软件中也都是这样显示的。
2.外频
外频即CPU的外部时钟频率，主板及CPU标准外频主要有66MHz、100MHz、133MHz几种。此外主板可调的外频越多、越高越好，特别是对于超频者比较有用。
3.倍频
倍频则是指CPU外频与主频相差的倍数。例如Athlon XP 2000+的CPU，其外频为133MHz，所以其倍频为12.5倍。
4.接口
接口指CPU和主板连接的接口。主要有两类，一类是卡式接口，称为SLOT，卡式接口的CPU像我们经常用的各种扩展卡，例如显卡、声卡等一样是竖立插到主板上的，当然主板上必须有对应SLOT插槽，这种接口的CPU目前已被淘汰。另一类是主流的针脚式接口，称为Socket，Socket接口的CPU有数百个针脚，因为针脚数目不同而称为Socket370、Socket478、Socket462、Socket423等。
5.缓存
缓存就是指可以进行高速数据交换的存储器，它先于内存与CPU交换数据，因此速度极快，所以又被称为高速缓存。与处理器相关的缓存一般分为两种——L1缓存，也称内部缓存；和L2缓存，也称外部缓存。例如Pentium4“Willamette”内核产品采用了423的针脚架构，具备400MHz的前端总线，拥有256KB全速二级缓存，8KB一级追踪缓存，SSE2指令集。
内部缓存(L1 Cache)
也就是我们经常说的一级高速缓存。在CPU里面内置了高速缓存可以提高CPU的运行效率，内置的L1高速缓存的容量和结构对CPU的性能影响较大，L1缓存越大，CPU工作时与存取速度较慢的L2缓存和内存间交换数据的次数越少，相对电脑的运算速度可以提高。不过高速缓冲存储器均由静态RAM组成，结构较复杂，在CPU管芯面积不能太大的情况下，L1级高速缓存的容量不可能做得太大，L1缓存的容量单位一般为KB。
外部缓存(L2 Cache)
CPU外部的高速缓存，外部缓存成本昂贵，所以Pentium 4 Willamette核心为外部缓存256K，但同样核心的赛扬4代只有128K。
6.多媒体指令集
为了提高计算机在多媒体、3D图形方面的应用能力，许多处理器指令集应运而生，其中最著名的三种便是Intel的MMX、SSE/SSE2和AMD的3D NOW！指令集。理论上这些指令对目前流行的图像处理、浮点运算、3D运算、视频处理、音频处理等诸多多媒体应用起到全面强化的作用。
7.制造工艺
早期的处理器都是使用0.5微米工艺制造出来的，随着CPU频率的增加，原有的工艺已无法满足产品的要求，这样便出现了0.35微米以及0.25微米工艺。制作工艺越精细意味着单位体积内集成的电子元件越多，而现在，采用0.18微米和0.13微米制造的处理器产品是市场上的主流，例如Northwood核心P4采用了0.13微米生产工艺。而在2003年，Intel和AMD的CPU的制造工艺会达到0.09毫米。
8.电压(Vcore)
CPU的工作电压指的也就是CPU正常工作所需的电压，与制作工艺及集成的晶体管数相关。正常工作的电压越低，功耗越低，发热减少。CPU的发展方向，也是在保证性能的基础上，不断降低正常工作所需要的电压。例如老核心Athlon XP的工作电压为1.75v，而新核心的Athlon XP其电压为1.65v
9.封装形式
所谓CPU封装是CPU生产过程中的最后一道工序，封装是采用特定的材料将CPU芯片或CPU模块固化在其中以防损坏的保护措施，一般必须在封装后CPU才能交付用户使用。CPU的封装方式取决于CPU安装形式和器件集成设计，从大的分类来看通常采用Socket插座进行安装的CPU使用PGA(栅格阵列)方式封装，而采用Slot x槽安装的CPU则全部采用SEC(单边接插盒)的形式封装。现在还有PLGA(Plastic Land Grid Array)、OLGA(Organic Land Grid Array)等封装技术。
