由直流分析即可以理解（以硅材料NPN三极管为例)：
当基极电压增高时(串有基极电阻),基极电流加大,
Ib=(U-07)/Rb
因此集电极电流也加大,且大β倍(IC=Ibβ),
集电极电阻Rc上压降也增大(Urc=IcRc),
电源电源是不变的，故集电极对地电压减小(Uce=E-Urc）
回顾一下：基极电压增高-->集电极电压减小,反之亦然。
故:当基极加上交流电时，基极电压的上升波形，对应集电极电压下降波形，故曰反相。
如基极加入正弦波,那基极和集电极波形正好相差180度。
基极电压自偏压效应
你这俩图都处于饱和导通状态，基射极电压大于07V, 晶体三极管各种状态如下：
07V以上饱和导通状态；
065-07V放大状态；
03V以下截止状态；
-01 —— -04V振荡状态；
如果你认为对，鼓励鼓励。
三极管集电极电压12v,基极电压5v会不会有问题
在发射结正偏时，通过发射结的电流大部分都流向了集电极（是少数载流子的扩散电流），只有很小一部分流向基极。因为BJT存在一定的基极电阻，包括发射区正下方基区的横向电阻（是一种扩展电阻）和发射区正下方以外基区的电阻；而基极电流是在基区中横向流动的，则在扩展的基极电阻上将产生电压降，这就使得发射区正下方基区中各点的电位不一样，即在发射结边缘处的电位较高、在发射结中心处的电位较低（甚至为0）；于是，就造成发射结面上各点的电压不同（发射结周围边缘处的电压高，中心处的电压低），从而使得发射结面上各点的注入电流密度也就不同——发射结周围边缘处的电流密度大，中心处的电流密度≈0，即发射极电流基本上都集中到了发射结的周围一圈，这就是发射极电流集边效应。可见，该效应实际上是由基极电阻所引起的，所以这种效应也称为基极电阻自偏压效应。
为什么共射极电路基极电压增大时集电极的电压会减少呢
会有问题，不能点亮！
以你的工作情况，假设12V的LED在5V才能被点亮，那么发射极的电压Ve至少为5V，那么Vbe=Vb-Ve=5-5=0伏，发射结没能正偏，所以不能导通；如果LED在12V
才能点亮，那就完全没希望了！也就是除非LED在43V能亮，你接入5V基极电压，按你的电路结构，才有可能有一点亮（43V）！
正确的电路结构应该是：控制电压5V-10K电阻-基极、发射极接地、在集电极和12V电源之间串联LED
这样基极电压为5V时，因为发射极接地，所以Ve=0；发射结通过的电流是（5-0）/10K，发射结正偏，导通！串接电阻的目的是限制积极电流，防止发射结击穿！
希望能对你有所帮助！
为什么求三极管负反馈电路中三极管的基极电压
因为在共发射极电路中，当基极电压增大时，三极管的基极电流增大，集电极电流也会随之增大，这就使得集电极电阻上的压降增大，三极管的集电极电压自然就降低了。但是有个前提是三极管是工作于放大区内，如果已经进入饱和状态了，基极电压增加也不会使集电极电压再降低。
求三极管负反馈电路中三极管的基极电压是因为当三极管工作在放大状态时发射极电压约等于基极电压修正值是发射结的正向压降。对于PNP型硅管，发射极高于基极约06V，锗管约02V。对于NPN型硅管，发射极低于基极约06V，锗管约02V，该电路是典型的基极分压式负反馈放大电路，基极电压一般由分压电阻的分压决定的，基极电阻分压电路的电流一般取为基极电流的10倍左右，所以基极电流对分压值影响很小，计算时，可将发射极电阻折算成与基极并联的电阻，折算方法是发射极电阻乘以三极管的放大倍数即可。
