Vbe = Vb-Ve，
1、如果 Vbe = +0.7V，那么就是 NPN 了，
此时Vc>Vb，则三极管处在放大区，而 Vc<Vb，同时 Vc>Ve，三极管处在饱和区；
2、如果 Vbe = -0.7V，那么就是 PNP 了，
此时 Vc<Vb，则三极管处在放大区，而 Vc>Vb，Vc<Ve，三极管处在饱和区；
NPN，发射极的电压最低，PNP，发射极的电压最高
扩展资料：
集电结和发射结均正偏，集电极电流不受基极电流控制的区域，也称饱和工作区。对于共射接法晶体管，饱和区是I(B)>0和U(CE)<0.7V的区域。
当U(CE)<0.7V时，U(CB)=U(CE)<U(BE)，集电结正偏，若U(CE)很小（如0.1V~0.3V），即使I(B)增大，I(C)也很少增加，即集电结吸引来自发射区多子的能力大大下降，已经“饱和”了。也可以用曲线U(CE)=U(BE)作为饱和区和放大区的分界线。
百度百科-晶体管饱和区
桥式整流器输出电压与输入电压的关系如下：
单相桥式整流器输出电压是输入电压的0.9倍
三相桥式整流器输出电压是输入电压的2.34倍
桥式整流器是由四只整流硅芯片作桥式连接，外用绝缘朔料封装而成，大功率桥式整流器在绝缘层外添加锌金属壳包封，增强散热。
