漏源电压高到一定程度（其实就是预夹断之后），UGD的电压会呈现反压，也就是在反型层所在的沟道中出现空间电荷区，ID要从D到S，需要克服一段空间电荷区（耗尽层），这时候，MOSFET呈现得是一种放大状态。但如果UDS继续上升，空间电荷区继续扩张，会逐步挤占反型层的空间，直到反型层（其实反型层也是沟道的一部分）全部被挤占完毕，如果UDS继续上升，则会出现击穿，MOSFET就损坏了。
当栅极电压超过门限电压时，源极和漏极完全导通，其导通电阻只有几十毫欧，几乎相当于短路，这样使得MOS管可以作为电子开关使用，几乎没有导通压降，Uds实测值通常为mv级，Id电流处于最大状态，主要取决于负载等效电阻大小。
