1.
这个模块里面已经集成了驱动电路，就是图中的pre-driver，上桥臂三个，三个下桥臂共用一个。准确说这个应该是一个IPM模块，而非IGBT模块，他们的区别就在于是否集成了驱动电路。
2.
驱动电路顾名思义，就是驱动IGBT的：将输入的PWM信号转化成可以开通和关断IGBT的电平标准；使得驱动电流足以可以开通和关断IGBT（尤其是IGBT的Ice较大的时候）；使得PWM信号的上升时间和下降时间满足IGBT开通关断的要求。
另外，驱动电路还应该具备必要的保护功能，避免IGBT损坏。
3.
驱动电路有现成的，正如楼上所说。
igbt驱动电路的要求
刚才有位仁兄说接个电阻，就是为了把这个电荷放掉。不能否认有这个作用，但是十几K的电阻相对于最大几十欧的IGBT门极关断电阻来说，放电效果是不明显的；所以这个十几K的电阻的设置明显不是针对这个情况设计的，在考虑对IGBT保护设计的时候，有一种情况IGBT比较容易损坏，就是门极电平悬空的时候，IGBT集电极有高电压接通，因为IGBT米勒电容的作用，会导致IGBT误导通，有烧坏IGBT的风险，如果GE间接个十几K的电阻,可以给米勒电容提供释放通道，不会引起IGBT误导通；在IGBT驱动电路中GE间经常接个十几K的电阻时为了驱动电路没用通电或者不起作用时，给IGBT的C极通高压不会造成IGBT误导通，阻值不能大小，否则会延长开通时间，增加IGBT的开关损耗，阻值太大了降低应有的作用。
对于大功率IGBT，选择驱动电路基于以下的参数要求：器件关断偏置、门极电荷、耐固性和电源情况等。门极电路的正偏压VGE负偏压-VGE和门极电阻RG的大小，对IGBT的通态压降、开关时间、开关损耗、承受短路能力以及dv/dt电流等参数有不同程度的影响。门极驱动条件与器件特性的关系见表1。栅极正电压 的变化对IGBT的开通特性、负载短路能力和dVcE/dt电流有较大影响，而门极负偏压则对关断特性的影响比较大。在门极电路的设计中，还要注意开通特性、负载短路能力和由dVcE/dt 电流引起的误触发等问题(见表1)。
表1 IGBT门极驱动条件与器件特性的关系
由于IGBT的开关特性和安全工作区随着栅极驱动电路的变化而变化，因而驱动电路性能的好坏将直接影响IGBT能否正常工作。为使IGBT能可靠工作。IGBT对其驱动电路提出了以下要求。
1)向IGBT提供适当的正向栅压。并且在IGBT导通后。栅极驱动电路提供给IGBT的驱动电压和电流要有足够的幅度，使IGBT的功率输出级总处于饱和状态。瞬时过载时，栅极驱动电路提供的驱动功率要足以保证IGBT不退出饱和区。IGBT导通后的管压降与所加栅源电压有关，在漏源电流一定的情况下，VGE越高，VDS傩就越低，器件的导通损耗就越小，这有利于充分发挥管子的工作能力。但是， VGE并非越高越好，一般不允许超过20 V，原因是一旦发生过流或短路，栅压越高，则电流幅值越高，IGBT损坏的可能性就越大。通常，综合考虑取+15 V为宜。
2)能向IGBT提供足够的反向栅压。在IGBT关断期间，由于电路中其他部分的工作，会在栅极电路中产生一些高频振荡信号，这些信号轻则会使本该截止的IGBT处于微通状态，增加管子的功耗。重则将使调压电路处于短路直通状态。因此，最好给处于截止状态的IGBT加一反向栅压(幅值一般为5～15 V)，使IGBT在栅极出现开关噪声时仍能可靠截止。
3)具有栅极电压限幅电路，保护栅极不被击穿。IGBT栅极极限电压一般为+20 V，驱动信号超出此范围就可能破坏栅极。
4)由于IGBT多用于高压场合。要求有足够的输入、输出电隔离能力。所以驱动电路应与整个控制电路在电位上严格隔离，一般采用高速光耦合隔离或变压器耦合隔离。
5)IGBT的栅极驱动电路应尽可能的简单、实用。应具有IGBT的完整保护功能，很强的抗干扰能力，且输出阻抗应尽可能的低。
